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用CASTEP优化结构的同时计算出的带隙值,比算能量时算出的带隙值大好多?
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请教大家:在用MS的CASTEP模块做计算,我优化结构的同时计算出的带隙值,比算能量时算出的带隙值大好多?为什么? LDA+U ,截止能:550eV,K点(3*3*3)。晶格常数跟实验室相比误差小,相符合。 优化结构的同时计算出的带隙值:2.449eV 接近实验值。 然后算单点能时再次算出算出的带隙值 1.669eV。 两次计算那个更合理?大家平时都是怎样算带隙值的? 请大家帮忙分析下。谢谢! |
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3楼2012-04-29 14:22:16
5楼2012-04-29 19:05:04
7楼2012-04-30 22:12:11
11楼2012-05-01 11:35:27
12楼2012-05-01 11:39:28
14楼2012-05-01 12:06:44
15楼2012-05-01 12:07:44
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我刚才看了下总能量: 优化后得到的:总能量 Final energy, E = -10125.90682335 eV Final free energy (E-TS) = -10125.90682335 eV (energies not corrected for finite basis set NB est. 0K energy (E-0.5TS) = -10125.90682335 eV Dispersion corrected final energy*, Ecor = -10128.68578096 eV Dispersion corrected final free energy* (Ecor-TS) = -10128.68578096 eV NB dispersion corrected est. 0K energy* (Ecor-0.5TS) = -10128.68578096 eV * not corrected for finite basis set 以下是算单点能得到的:总能量 Final energy, E = -10122.89278355 eV Final free energy (E-TS) = -10122.89278355 eV (energies not corrected for finite basis set) NB est. 0K energy (E-0.5TS) = -10122.89278355 eV Dispersion corrected final energy*, Ecor = -10125.72974146 eV Dispersion corrected final free energy* (Ecor-TS) = -10125.72974146 eV NB dispersion corrected est. 0K energy* (Ecor-0.5TS) = -10125.72974146 eV * not corrected for finite basis set For future reference: finite basis dEtot/dlog(Ecut) = -5.449783eV Total energy corrected for finite basis set = -10125.727685 eV 请大家帮忙分析下:1 此次计算是不是有误? 2 以下是什么意思: Dispersion corrected final free energy* (Ecor-TS) = -10125.72974146 eV NB dispersion corrected est. 0K energy* (Ecor-0.5TS) = -10125.72974146 eV 2 这两次的能量是不是造成这个结果的原因?以那个能量为准? |
16楼2012-05-01 12:20:41













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