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jaychenyl

木虫 (小有名气)

[交流] 离子探针(IMS 1280或NanoSIMS)用Cs+做一次离子源时的电子枪补偿 已有2人参与

离子探针用Cs+做一次离子源时的需要电子枪补偿,是什么原因?
为何O-做一次离子源时不需要呢?
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jaychenyl

木虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by ling613613 at 2012-04-04 22:24:36:
我也不太清楚,跟你讨论啊。
我理解是:用Cs+ 可以增加二次阴离子的离子产率,如(F-,Cl-和O-),使得检测这些阴离子的灵敏度提高。当用Cs+轰击绝缘样品表面时,样品表面会产生电荷积累,使分析无法进行,需要用 ...

我看到有篇文献提了一下,跟你说的一样。我也贴过来了,不过最后一句我没明白,This can be problematic when parts of the sample conduct.为什么部分导电就会有问题?另外,用O-就不会有电荷累积吗?
As SIMS uses high voltages to accelerate the primary ions, the sample must
be conductive. It is therefore necessary to coat non-conducting samples, such as
minerals, glasses and ceramics, with a conductive metal film. Typically, a thin
(5 nm) gold (Au) coat is used as Au generally does not react with the sample.
During sputtering, the Au coat is eroded away exposing the underlying sample
surface, which becomes, once again, non-conductive. The ionisation efficiency,
and hence the secondary ion yield from the sample, increases with increasing
primary ion implantation. As the ion beam erodes the Au coat away, there is an
optimum time when the signal is strongest – shortly before the Au coat is entirely removed. After this stage, an electron flood gun may be used to dissipate charge build-up along the edges of the sputter crater, and allow secondary ions to leave the sample surface. This can be problematic when parts of the sample conduct.
3楼2012-04-07 09:48:48
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ling613613

铁虫 (知名作家)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我也不太清楚,跟你讨论啊。
我理解是:用Cs+ 可以增加二次阴离子的离子产率,如(F-,Cl-和O-),使得检测这些阴离子的灵敏度提高。当用Cs+轰击绝缘样品表面时,样品表面会产生电荷积累,使分析无法进行,需要用电子枪进行电荷中和。
2楼2012-04-04 22:24:36
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jaychenyl

木虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by ling613613 at 2012-04-09 04:20:31:
不好意思啊,我也不懂,虽然我花了不少时间努力来找答案,也没有找到合适的。也可能下面的引用可能可以帮助你理解。希望有用。
1.
Qing-Yu Zhang的PPT中说 荷电效应
        在用 SIMS 分析绝缘样品时,由于入 ...

非常感谢哈 我下载下来看看
5楼2012-04-09 14:05:27
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taolanli

铜虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
楼主,请问你做过NanoSIMS的实验吗?我想问下你,你是在哪里做的呢?我们导师让我联系能做NanoSIMS的地方,但是一直没能联系得到,求楼主指点
把论文写在大地上,写在粮食丰产上
6楼2014-07-15 09:50:37
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