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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 请教异质外延生长晶体薄膜的晶向与衬底材料晶向的关系~【回答有帮助的送红花】
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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MANOWAR

金虫 (正式写手)
送鲜花一朵
引用回帖:
10楼: Originally posted by clchen at 2012-04-04 15:59:45:
同质外延确实不一定能生长出相同晶向的材料,跟生长条件关系很大,改变条件可以生长出不同晶向的材料.TEM觉得不方便做的话,用XRD做简单的omega-2theta扫描可以定出基本的外延晶向关系,如果想知道面内晶向关系,用XRD ...

谢谢你，言简意赅，很有收获~
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11楼2012-04-04 22:17:14
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阿亓儿

铜虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
衬底晶向决定外延薄膜晶向——这是毋庸置疑的。
以GaN ON Al2O3为例：
在C面生长GaN，那GaN生长出来的就是002晶向
如果你Al2O3做一个偏角，比方说30°偏角，那GaN生长就会受影响，因为沿蓝宝石C面生长，GaN与其的适配越小，键键之间更牢固，状态越稳定。

GaN on Si为例说来：
111面市三角形结构，对于6方晶系的GaN来说，最容易生长
所有生长非常规晶向的GaN，比方说 m plane 或者r plane的方法，都是选用特殊晶向Si, 利用KOH腐蚀，路出来111面和-1-1-1面等，将111面以外的晶面利用Si02保护，进入MOCVD生长，就可以只在111面生长，且此时GaN的c面朝向是非垂直的，与Si衬底平行的也就是非c面，从何得到非主流的GaN
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MANOWAR drg1984
12楼2012-04-09 14:33:00
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diwunju

铁杆木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
12楼: Originally posted by 阿亓儿 at 2012-04-09 14:33:00:
衬底晶向决定外延薄膜晶向——这是毋庸置疑的。
以GaN ON Al2O3为例：
在C面生长GaN，那GaN生长出来的就是002晶向
如果你Al2O3做一个偏角，比方说30°偏角，那GaN生长就会受影响，因为沿蓝宝石C面生长，GaN与其 ...

这个才是正解，楼上有些解答真是让人啼笑皆非。

另外再说一句，有时候没人愿意回答，仅仅是因为这个问题没办法回答，比如楼主这个问题，不按衬底的晶向生长那还叫外延吗？这让人怎么回答？
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13楼2012-04-09 21:30:54
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MANOWAR

金虫 (正式写手)
送鲜花一朵
引用回帖:
12楼: Originally posted by 阿亓儿 at 2012-04-09 14:33:00:
衬底晶向决定外延薄膜晶向——这是毋庸置疑的。
以GaN ON Al2O3为例：
在C面生长GaN，那GaN生长出来的就是002晶向
如果你Al2O3做一个偏角，比方说30°偏角，那GaN生长就会受影响，因为沿蓝宝石C面生长，GaN与其 ...

谢谢你的回答，很有收获~
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14楼2012-04-09 22:37:32
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clchen

禁虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
本帖内容被屏蔽
15楼2012-04-10 13:56:13
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阿亓儿

铜虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
15楼: Originally posted by clchen at 2012-04-10 13:56:13:
我来反驳这一句：衬底晶向决定外延薄膜晶向——这是毋庸置疑的。
衬底晶向对外延薄膜晶向有影响，但不是决对的。
我来举个例子好了：
就依上面所提的GaN生长为例：
C面的GaN上很容易长出c面的GaN
但在非极性 ...

谢谢 我不懂同质外延  只懂mocvd
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16楼2012-04-10 14:08:39
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clchen

禁虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
本帖内容被屏蔽
17楼2012-04-10 14:56:34
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MANOWAR

金虫 (正式写手)
引用回帖:
13楼: Originally posted by diwunju at 2012-04-09 21:30:54:
这个才是正解，楼上有些解答真是让人啼笑皆非。

另外再说一句，有时候没人愿意回答，仅仅是因为这个问题没办法回答，比如楼主这个问题，不按衬底的晶向生长那还叫外延吗？这让人怎么回答？

看了你的回答，我不得不说，你孤陋寡闻了。
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18楼2012-04-10 15:06:15
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MANOWAR

金虫 (正式写手)
引用回帖:
17楼: Originally posted by clchen at 2012-04-10 14:56:34:
不客气,就依你懂的MOCVD来讨论:
采用MOCVD在sapphire上长GaN,
c-plane 基板上出c GaN,
m-plane 基板上很容易长出m+c GaN,条件控制好了可以出纯m或纯c的GaN, 这点你可以验证一下

这位大侠，向您请教一下：有文献报道在m面蓝宝石上可以外延半极性GaN，而这个半极性GaN的晶向并不是统一的，也就是通过改变工艺条件，每一次外延出的GaN的晶面取向不同。但是无论如何都没有长出极性GaN。另外，m面本身也是非极性面。非极性面上却长出了半极性材料。我对这个感觉很好奇，所以发了此贴来提问。我非常想知道，是否存在一种最根本的因素，决定着外延材料的取向？您对这方面有什么见解吗？请赐教~
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19楼2012-04-10 15:12:02
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MANOWAR

金虫 (正式写手)
引用回帖:
16楼: Originally posted by 阿亓儿 at 2012-04-10 14:08:39:
谢谢 我不懂同质外延  只懂mocvd

请问您的MOCVD一般用来做哪方面生长？
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20楼2012-04-10 15:14:26
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