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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 请教异质外延生长晶体薄膜的晶向与衬底材料晶向的关系~【回答有帮助的送红花】
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clchen

禁虫 (正式写手)
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本帖内容被屏蔽
21楼2012-04-10 16:04:27
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阿亓儿

铜虫 (初入文坛)
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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17楼: Originally posted by clchen at 2012-04-10 14:56:34:
不客气,就依你懂的MOCVD来讨论:
采用MOCVD在sapphire上长GaN,
c-plane 基板上出c GaN,
m-plane 基板上很容易长出m+c GaN,条件控制好了可以出纯m或纯c的GaN, 这点你可以验证一下

哦  谢谢   
我的意思是，与衬底平行的那一面 不是c面
m plane sapphire上面长，GaN还是按照极性的长，只是它的C面与衬底有一定的偏角；而真正与sapphire面平行的，还是m plane——这个可同意？

不知我的意思能否理解？
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22楼2012-04-10 16:44:09
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阿亓儿

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
20楼: Originally posted by MANOWAR at 2012-04-10 15:14:26:
请问您的MOCVD一般用来做哪方面生长？

gan on si
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MANOWAR
23楼2012-04-10 16:49:45
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diwunju

铁杆木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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18楼: Originally posted by MANOWAR at 2012-04-10 15:06:15:
看了你的回答，我不得不说，你孤陋寡闻了。

同学，你讨论的是“外延”。epitaxy源于希腊语，epi表示沿着一个方向，tax是堆积的意思，“外延”的定义就是沿着衬底的晶向生长。如果你讨论的问题不是沿着衬底的晶向生长，你就不在讨论“外延”。所以，我说你的问题实际上没办法回答。
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24楼2012-04-10 19:54:01
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紫荆空间

银虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
衬底的取向会影响上层薄膜的结晶取向，但也受制备工艺的影响。
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MANOWAR
25楼2012-04-10 20:48:35
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MANOWAR

金虫 (正式写手)
引用回帖:
24楼: Originally posted by diwunju at 2012-04-10 19:54:01:
同学，你讨论的是“外延”。epitaxy源于希腊语，epi表示沿着一个方向，tax是堆积的意思，“外延”的定义就是沿着衬底的晶向生长。如果你讨论的问题不是沿着衬底的晶向生长，你就不在讨论“外延”。所以，我说你的 ...

同学，我们现在讨论的也算是科技方面的学术问题，不是咬文嚼字。再说了，MOCVD本来就是外延技术的一种，但是MOCVD外延层与衬底确实并非完全对应，楼上的一些网友也举了例子，那么按着你所说的外延的定义，MOCVD外延薄膜与衬底晶向不同，那也就意味着MOCVD并不是外延技术嘛~那你认为MOCVD应该该类为何技术？
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26楼2012-04-11 09:04:03
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MANOWAR

金虫 (正式写手)
引用回帖:
21楼: Originally posted by clchen at 2012-04-10 16:04:27:
只能说那个作者没捉到长m面GaN在m面蓝定石上的条件,c面也一样.
搜到一篇m GaN on m sapphire文章:JCG 325 (2011),85.
还有一篇Epitaxy of m-GaN on nanoscale patterned c-plane sapphire substrates, Surface ...

我也感觉自由能对于原子沉积位置起着关键作用，进而影响了最终薄膜取向。
那么按着您的意思，工艺条件也是对于生长界面自由能有重要影响了？不知道这个本质上是如何影响的。不知道大侠有没有看到过相关文献有介绍呢？
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27楼2012-04-11 09:08:26
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MANOWAR

金虫 (正式写手)
送鲜花一朵
引用回帖:
25楼: Originally posted by 紫荆空间 at 2012-04-10 20:48:35:
衬底的取向会影响上层薄膜的结晶取向，但也受制备工艺的影响。

谢谢姐姐回答~请问您在实际工作生活中有没有现实的例子？最好能再简要介绍下其确定方法和表征方法。
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28楼2012-04-11 09:14:18
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MANOWAR

金虫 (正式写手)
送鲜花一朵
引用回帖:
23楼: Originally posted by 阿亓儿 at 2012-04-10 16:49:45:
gan on si

请问大侠，您感觉在硅上生长氮化镓的材料质量如何？相比于其他衬底生长的氮化镓及氧化锌之类的半导体，硅上GaN在电学性能上有何优势吗？
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29楼2012-04-11 09:17:50
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阿亓儿

铜虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
29楼: Originally posted by MANOWAR at 2012-04-11 09:17:50:
请问大侠，您感觉在硅上生长氮化镓的材料质量如何？相比于其他衬底生长的氮化镓及氧化锌之类的半导体，硅上GaN在电学性能上有何优势吗？

首先强调的是，硅上GaN外延，不是为了得到非常好的晶格质量才去这么做，如果是为这个目的，那肯定走SiC外延
硅外延就是说白了，降低成本。
别的异质衬底玩2inch  4inch，硅直接上8inch
目前做的最好的应该是samsung，出来的水平跟sapphire平片长的水平一样，实力强悍

总结就是：初衷降低成本，目标提高晶格质量
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30楼2012-04-11 10:16:49
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