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MANOWAR金虫 (正式写手)
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[交流]
请教异质外延生长晶体薄膜的晶向与衬底材料晶向的关系~【回答有帮助的送红花】已有10人参与
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首先抱怨一下，小木虫论坛火热，在线会员及访客数量庞大，但是很多帖子回复率都很低，难道是提问寻求帮助的问题都太难了吗？每次发个帖子都准备发放金币，结果到最后基本没有回复，要不就是废话，浪费了一大堆金币（虽然金币也没什么用，就是用来发的），真心希望能有些真正的高手来到小木虫为虫友答疑解惑~少扯些闲淡~什么评上“教授了，散金币”，“发了XXX，求祝贺”之类的~看起来你学历和专业知识也应该达到一定高度了，来答疑解惑不是更好吗？ 言归正传，请教一个问题：在使用诸如MOCVD、MBE或者HVPE之类手段外延生长晶体薄膜时，如果衬底材料的晶向【也就是衬底表面的晶面指数】可以任意选择，那么外延出来的薄膜的晶向如何？两者对应关系是如何确定的？如果是同质外延，我想，外延的薄膜去向与衬底去向应该一致，但是如果是异质外延呢？请不吝赐教~回答有帮助的送红花以示感谢~ |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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衬底晶向决定外延薄膜晶向——这是毋庸置疑的。 以GaN ON Al2O3为例： 在C面生长GaN，那GaN生长出来的就是002晶向 如果你Al2O3做一个偏角，比方说30°偏角，那GaN生长就会受影响，因为沿蓝宝石C面生长，GaN与其的适配越小，键键之间更牢固，状态越稳定。 GaN on Si为例说来： 111面市三角形结构，对于6方晶系的GaN来说，最容易生长 所有生长非常规晶向的GaN，比方说 m plane 或者r plane的方法，都是选用特殊晶向Si, 利用KOH腐蚀，路出来111面和-1-1-1面等，将111面以外的晶面利用Si02保护，进入MOCVD生长，就可以只在111面生长，且此时GaN的c面朝向是非垂直的，与Si衬底平行的也就是非c面，从何得到非主流的GaN |
MANOWAR12楼2012-04-09 14:33:00
16楼2012-04-10 14:08:39
22楼2012-04-10 16:44:09
23楼2012-04-10 16:49:45
30楼2012-04-11 10:16:49