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请教异质外延生长晶体薄膜的晶向与衬底材料晶向的关系~【回答有帮助的送红花】 已有10人参与
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首先抱怨一下，小木虫论坛火热，在线会员及访客数量庞大，但是很多帖子回复率都很低，难道是提问寻求帮助的问题都太难了吗？每次发个帖子都准备发放金币，结果到最后基本没有回复，要不就是废话，浪费了一大堆金币（虽然金币也没什么用，就是用来发的），真心希望能有些真正的高手来到小木虫为虫友答疑解惑~少扯些闲淡~什么评上“教授了，散金币”，“发了XXX，求祝贺”之类的~看起来你学历和专业知识也应该达到一定高度了，来答疑解惑不是更好吗？ 言归正传，请教一个问题：在使用诸如MOCVD、MBE或者HVPE之类手段外延生长晶体薄膜时，如果衬底材料的晶向【也就是衬底表面的晶面指数】可以任意选择，那么外延出来的薄膜的晶向如何？两者对应关系是如何确定的？如果是同质外延，我想，外延的薄膜去向与衬底去向应该一致，但是如果是异质外延呢？请不吝赐教~回答有帮助的送红花以示感谢~ |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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衬底晶向决定外延薄膜晶向——这是毋庸置疑的。 以GaN ON Al2O3为例： 在C面生长GaN，那GaN生长出来的就是002晶向 如果你Al2O3做一个偏角，比方说30°偏角，那GaN生长就会受影响，因为沿蓝宝石C面生长，GaN与其的适配越小，键键之间更牢固，状态越稳定。 GaN on Si为例说来： 111面市三角形结构，对于6方晶系的GaN来说，最容易生长 所有生长非常规晶向的GaN，比方说 m plane 或者r plane的方法，都是选用特殊晶向Si, 利用KOH腐蚀，路出来111面和-1-1-1面等，将111面以外的晶面利用Si02保护，进入MOCVD生长，就可以只在111面生长，且此时GaN的c面朝向是非垂直的，与Si衬底平行的也就是非c面，从何得到非主流的GaN |
MANOWAR12楼2012-04-09 14:33:00
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
nofrunolif: 金币+1, 鼓励交流 2012-04-02 15:47:29
qiqiqiqi: 回帖置顶 2012-04-04 09:56:28
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
nofrunolif: 金币+1, 鼓励交流 2012-04-02 15:47:29
qiqiqiqi: 回帖置顶 2012-04-04 09:56:28
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这个问题其实很笼统，得看具体问题。 基底的材料和取向肯定会影响薄膜的取向的。但具体有什么关系，得具体看是什么基底和什么薄膜，也就是说得看具体的材料。 结合我做的ZnO薄膜，玻璃基底、Si基底和金属缓冲层上生长的ZnO都是002取向，但结晶性肯定有差异。文献里报道的Al2O3基底生长的也都是002取向。就是说得看具体物质。 基底可能会改变取向，但是不绝对。因为影响取向的参数很多，不止基底取向性这一个，而且，基底的取向性也不一定是最主要的影响参数，也许气氛成分、基底温度等影响远远大于基底的影响。 建议多看一些具体的相关文献， |
2楼2012-04-02 14:37:55
3楼2012-04-02 21:37:33
4楼2012-04-02 22:10:43