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nkleof

银虫 (正式写手)

[求助] 表面效应对slab模型的DOS的影响

在以slab模型计算表面的电子结构时,一般会存在由于低维效应导致的能带变窄,但是看了很多文献中都只是简单提到,比如
"These differences in the contral layer DOS, which should approximate the bulk DOS if the slab were thick enough, are largelyy size effects due to the finite thickness of the slabs."
或者
"From the comparison of Figs.1a and 1b we can state that there is some decrease (of the order of 0.5eV) of the band gap width wich the increase of the slab thickness. The size effects and the surface effects manifest themselves better in the layer density-of-states plots."
我想查阅一些对这方面讲述比较详细的文献,即slab厚度的变小如何导致能带宽度变窄的具体原理,求推荐文献,谢谢!
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nkleof

银虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 贺仪 at 2012-03-21 16:04:40
这个比较好理解吧,分子的能带只有线,当你的模型越连续,这个线就会变化形成带

谢谢回帖,是这么理解,我想求的是这方面可以引用的文献来源。
3楼2013-09-10 12:45:31
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贺仪

铁杆木虫 (著名写手)


zzy870720z: 金币+1, 鼓励交流 2012-03-21 16:13:12
这个比较好理解吧,分子的能带只有线,当你的模型越连续,这个线就会变化形成带
嘟啦啦嘟啦啦嘟
2楼2012-03-21 16:04:40
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