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jinzelvzju

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[求助] 请问光催化金属沉积、掺杂和半导体复合的缺点分别是什么?

请问光催化金属沉积、掺杂和半导体复合的缺点分别是什么?
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天行健
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jinzelvzju

捐助贵宾 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by clay8519 at 2012-03-02 19:45:42:
lz连问题都没问清楚

总算有人回贴了,谢谢啊。
我再整理一下问题。贵金属沉积、掺杂和半导体复合3种方法都可以改性TiO2,提高光电转化效率,我就是想请教一下它们各自的不足在哪儿里,比如说热稳定性差等等。
不知道这样有没有清楚些?
天行健
4楼2012-03-02 21:09:01
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jinzelvzju

捐助贵宾 (正式写手)

最近很奇怪,我陆续发了5贴都没人回?我的问题有问题?
天行健
2楼2012-03-02 19:14:45
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clay8519

木虫 (正式写手)

lz连问题都没问清楚
3楼2012-03-02 19:45:42
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13333

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
jinzelvzju(金币+2): ★★★很有帮助 谢谢! 2012-03-02 21:23:05
flylrh: 金币+2, 谢谢交流~ 2012-04-14 17:26:10
我弄二氧化钛的 我觉得贵金属沉积缺点是成本高 掺杂改性好像不明显。半导体复合相对较好 但较为匹配的窄禁带半导体有的有毒,有的难以制备,有的不稳定容易发生光腐蚀
5楼2012-03-02 21:09:27
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