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请问光催化金属沉积、掺杂和半导体复合的缺点分别是什么?
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jinzelvzju
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请问光催化金属沉积、掺杂和半导体复合的缺点分别是什么?
请问光催化金属沉积、掺杂和半导体复合的缺点分别是什么?
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天行健
1楼
2012-03-01 10:50:46
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starvyes
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2012-04-16 16:37:45
贵金属的成本会比较大,实际应用中都可以通过不参杂催化剂的数量去弥补活性,而且都会倾向于炒作理论,像“限域”问题;参杂么可以做可见光,比如TiO2掺杂N,不过这类掺杂一般寿命都比较短,实际应用价值不高;至于说半导体复合,方法上不是每个人都能很好掌握的,需要去控制各个反应活性面。还有一种lZ没提,敏化的问题。
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11楼
2012-04-16 15:01:41
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★★★
很有帮助
2012-04-17 00:22:55
引用回帖:
12楼
:
Originally posted by
jinzelvzju
at 2012-04-16 16:41:02:
谢谢!请问“通过不参杂催化剂的数量去弥补活性”什么意思,另外,掺杂寿命短主要是什么原因导致的,是所有掺杂都会寿命短吗?
好吧,有点儿绕口,就是实际生产应用性太差了。
掺杂一般会改变半导体的晶型结构(插入原子,取代原有原子,晶型转化等)从而不稳定,比如往TiO2里掺N,C,结果会像CdS一样,光反应完了自己也就完了,不过也不是所有的掺杂都会影响到催化剂寿命。
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13楼
2012-04-16 17:14:35
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