29楼: Originally posted by luanhx03 at 2012-03-23 16:10:48:
他们这个组我很有过了解，他们之前获得了国家973的资金支持，不过由于研究的时间较短，基础不足，一上来就做20厘米见方的大片，这显然有问题。他们其实很辛苦，苦干硬干了四、五年，还是取得了很多成绩。不过由于 ...

30楼: Originally posted by greenhaw at 2012-03-23 17:24:54:
CIGS中Mo层背电极层文献都说采用高低压力沉积,请问楼主如果用DC sputtering 方法怎么做能达到既具有良好结合力有具有低电阻率？
工业生产中主流采用Mo电极是怎么做的？

31楼: Originally posted by 老海龟 at 2012-03-23 17:48:50:
谢谢，你说的很有道理。已经注意到有两个做的有水平的企业都是台资企业，一是跟美国、德国有合作，再有就是过去做半导体材料的基础。（台湾新能刚刚做到110x140 cm见方而且9%以上的转换率，世界第一。）
中国的 ...

32楼: Originally posted by luanhx03 at 2012-03-24 14:27:31:
Mo电极采用DC sputtering，这个没问题
实际做的时候采用三亚层法，即开始的时候采用较高的溅射气压，使得Mo膜比较疏松，和基底结合较好，然后采用较低溅射气压，使得Mo生长致密化，电阻较低，然后最后再采用较高 ...

36楼: Originally posted by tmxkzk at 2012-03-28 10:26:05:
看了LZ上面的问答，感觉LZ非常专业。我最近在做CIS器件，想问下楼主做顶电级NIAL合金时，NI和AL分别蒸镀多厚，及评价其性能的方法一般是什么？最后想问下您是哪个单位的，谢谢答复。

37楼: Originally posted by tmxkzk at 2012-03-28 10:27:34:
还有个问题，CIAS，用铝替代Ga，效率很多年前都17%了，为什么还是那么少人关注这种材料，您对这种材料的前景是否看好。