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老海龟

专家顾问 (知名作家)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
29楼: Originally posted by luanhx03 at 2012-03-23 16:10:48:
他们这个组我很有过了解,他们之前获得了国家973的资金支持,不过由于研究的时间较短,基础不足,一上来就做20厘米见方的大片,这显然有问题。他们其实很辛苦,苦干硬干了四、五年,还是取得了很多成绩。不过由于 ...

谢谢,你说的很有道理。已经注意到有两个做的有水平的企业都是台资企业,一是跟美国、德国有合作,再有就是过去做半导体材料的基础。(台湾新能刚刚做到110x140 cm见方而且9%以上的转换率,世界第一。)
中国的科研单位由于太分散并且缺少积累,显然当下只能解决局部问题而不是系统问题,这是制约中国产业大发展的核心之处。
爱因斯坦说:“世界上最美好的感受是对神秘事物的体验。”
31楼2012-03-23 17:48:50
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luanhx03

金虫 (初入文坛)

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30楼: Originally posted by greenhaw at 2012-03-23 17:24:54:
CIGS中Mo层背电极层文献都说采用高低压力沉积,请问楼主如果用DC sputtering 方法怎么做能达到既具有良好结合力有具有低电阻率?
工业生产中主流采用Mo电极是怎么做的?

Mo电极采用DC sputtering,这个没问题
实际做的时候采用三亚层法,即开始的时候采用较高的溅射气压,使得Mo膜比较疏松,和基底结合较好,然后采用较低溅射气压,使得Mo生长致密化,电阻较低,然后最后再采用较高的溅射气压,使得Mo膜的表面比较疏松,便于和CIGS结合。

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32楼2012-03-24 14:27:31
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luanhx03

金虫 (初入文坛)

引用回帖:
31楼: Originally posted by 老海龟 at 2012-03-23 17:48:50:
谢谢,你说的很有道理。已经注意到有两个做的有水平的企业都是台资企业,一是跟美国、德国有合作,再有就是过去做半导体材料的基础。(台湾新能刚刚做到110x140 cm见方而且9%以上的转换率,世界第一。)
中国的 ...

确实如此。
不过中国内地,我看所有的科研院所内,积累较多有可能做产业化的,一个是南开孙云的工作组,一个是清华庄大明的工作组。除此之外中科院某个所做的也很久了,积累也较多。
其他的,我看都是有枣没枣打三竿子
33楼2012-03-24 14:30:26
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greenhaw

金虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
32楼: Originally posted by luanhx03 at 2012-03-24 14:27:31:
Mo电极采用DC sputtering,这个没问题
实际做的时候采用三亚层法,即开始的时候采用较高的溅射气压,使得Mo膜比较疏松,和基底结合较好,然后采用较低溅射气压,使得Mo生长致密化,电阻较低,然后最后再采用较高 ...

那各层厚度及溅射时压力,功率密度有没有建议?
34楼2012-03-27 17:11:14
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luanhx03

金虫 (初入文坛)

各层厚度不是很严格,第一和第三层一般几十纳米就行
至于溅射气压,低的在零点几pa,高的大约在1pa。不过具体多少要看具体的设备标称以及设备抽真空能力而定,不能一概而论。
35楼2012-03-27 19:58:47
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tmxkzk

木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
看了LZ上面的问答,感觉LZ非常专业。我最近在做CIS器件,想问下楼主做顶电级NIAL合金时,NI和AL分别蒸镀多厚,及评价其性能的方法一般是什么?最后想问下您是哪个单位的,谢谢答复。
36楼2012-03-28 10:26:05
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tmxkzk

木虫 (正式写手)

还有个问题,CIAS,用铝替代Ga,效率很多年前都17%了,为什么还是那么少人关注这种材料,您对这种材料的前景是否看好。
37楼2012-03-28 10:27:34
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luanhx03

金虫 (初入文坛)

引用回帖:
36楼: Originally posted by tmxkzk at 2012-03-28 10:26:05:
看了LZ上面的问答,感觉LZ非常专业。我最近在做CIS器件,想问下楼主做顶电级NIAL合金时,NI和AL分别蒸镀多厚,及评价其性能的方法一般是什么?最后想问下您是哪个单位的,谢谢答复。

谢谢您的肯定,呵呵,Al的厚度要求厚一些,一般几十微米-几百微米,看你们设备的蒸发能力和薄膜结合力的情况而定,太厚容易掉;Ni的厚度我也没有深入研究过,我一般只做几十纳米,比较薄。
什么单位就算了吧,呵呵,谢谢关心:)
38楼2012-03-29 08:13:56
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luanhx03

金虫 (初入文坛)

引用回帖:
37楼: Originally posted by tmxkzk at 2012-03-28 10:27:34:
还有个问题,CIAS,用铝替代Ga,效率很多年前都17%了,为什么还是那么少人关注这种材料,您对这种材料的前景是否看好。

我在五年前有过一段时间专门研究CIAS,效果不好,后来我们课题组不研究了,我看其他科研院所也很少研究了
这个东西比较容易入门,低效率的器件很容易做出来,但是继续做就会发现由于材料内大量的缺陷,缺陷密度非常高,使得提高效率很难,所以后来我就不再做这个了
39楼2012-03-29 08:15:39
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tmxkzk

木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
现在在组装一批器件,之前没有经验,楼主能不能给些建议,分层都做出的差不多了,就差如何将 他们组装成电池。谢谢答复
40楼2012-03-29 08:37:33
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