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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 交流互助 » 开个帖子，关于CIGS太阳能电池的，有问必答，欢迎交流
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luanhx03

金虫 (初入文坛)
★
aishan(金币+1): 感谢交流 2012-03-02 19:54:00
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楼: Originally posted by minglight9 at 2012-03-02 17:48:13:
我们是用磁控溅射的方法做的，直流电源进行溅射，溅射过程中如何防止因为粒子能量过高而导致azo层直接与CIGS层、CdS层、ZnO层混成一个层？

没问题，不会的，我一直在这么做，磁控溅射的电压一般就200-300V，打不坏的，放心；但是也有人说过用射频溅射效果更好，我没试过，我一直用磁控溅射，结果很好
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21楼2012-03-02 18:09:34
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luanhx03

金虫 (初入文坛)
★ ★
aishan(金币+2): 感谢交流 2012-03-02 19:54:06
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楼: Originally posted by minglight9 at 2012-03-02 17:38:12:
工业上的内连接我有所了解，但是P2那条线之后覆盖一层透明导电膜连接到下一个子电池的背电极，会不会引起正电极直接和CIGS层之间的电子和空穴复合从而导致电池失效？？

这个再补充一点，电子和空穴的复合，一般是发生在CIGS和CdS形成的pn结附近，一旦二者分离开了，复合的几率就小了很多，并且几率大小主要是CIGS材料内部的缺陷态密度和缺陷类型决定。AZO导电性非常好，和CIGS之间的界面不存在复合中心的问题，就像金属Mo与CIGS之间复合作用也不明显，一个道理；而且二者的基础面积很小，实际做下来的结果感觉没有影响
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22楼2012-03-02 18:26:25
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ftfxiaoyu

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
请问，既然CIGS电池的主要受电学性能影响，那光吸收层的电阻率一般在那个范围比较好？内部缺陷怎么消除？电学性能和成分、光性能有联系么？
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23楼2012-03-02 18:39:04
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luanhx03

金虫 (初入文坛)
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楼: Originally posted by ftfxiaoyu at 2012-03-02 18:39:04:
请问，既然CIGS电池的主要受电学性能影响，那光吸收层的电阻率一般在那个范围比较好？内部缺陷怎么消除？电学性能和成分、光性能有联系么？

理论上电阻率一般在100-1000欧姆厘米，实际上实验结果表明电阻率在100-200比较好；内部缺陷怎么消除，这个问题，比较复杂，概括地说要进行杂质掺杂，掺杂Na元素。

成分是影响电学性能最主要的因素，尤其是Cu和Se的元素，要Cu/In+Ga的比例在0.9左右最好，Se的含量要高于50%，一般在51%左右比较好
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24楼2012-03-02 20:12:26
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老海龟

专家顾问 (知名作家)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
除了生产厂家之外，国内做CIGS科研的或技术支持的单位有哪些？
国外一个公司希望找到中方的科研合作伙伴，共同为中国制造企业提供服务。
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爱因斯坦说：“世界上最美好的感受是对神秘事物的体验。”
25楼2012-03-21 11:47:54
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二爷

新虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
回复24楼 中国科学院先进技术研究院 光伏太阳能中心 ：http://www.siat.cas.cn/jgsz/kyxt/jcs/yjdy/znfs_50607/
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This love is unbreakable.
26楼2012-03-21 16:15:47
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luanhx03

金虫 (初入文坛)
内容已删除
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27楼2012-03-22 13:41:41
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老海龟

专家顾问 (知名作家)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
27楼: Originally posted by luanhx03 at 2012-03-22 13:41:41:
除了25楼说的，据我所知主要的有以下几家：南开大学孙云教授研究组，清华大学庄大明教授课题组，中科院上海光电所褚君浩院士研究组，华东师范大学物理系等几家，北京大学物理系之前也在研究，不过最近这2年研究有 ...

北大赵教授他们这个组我过去接触过，据称拿到过四个亿资金的承诺，但在扩大尺寸实现流水线生长方面显然出现严重问题。
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爱因斯坦说：“世界上最美好的感受是对神秘事物的体验。”
28楼2012-03-22 14:40:00
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luanhx03

金虫 (初入文坛)
引用回帖:
28楼: Originally posted by 老海龟 at 2012-03-22 14:40:00:
北大赵教授他们这个组我过去接触过，据称拿到过四个亿资金的承诺，但在扩大尺寸实现流水线生长方面显然出现严重问题。

他们这个组我很有过了解，他们之前获得了国家973的资金支持，不过由于研究的时间较短，基础不足，一上来就做20厘米见方的大片，这显然有问题。他们其实很辛苦，苦干硬干了四、五年，还是取得了很多成绩。不过由于面临的很多困难无法克服，目前基本停滞了。
CIGS的研究我个人感觉搞大跃进肯定是不行的，需要有较好的研究基础才能搞大片，才能搞生产线。其中有很多技术问题，门槛很高
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29楼2012-03-23 16:10:48
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greenhaw

金虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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8楼: Originally posted by luanhx03 at 2012-03-01 20:31:48:
Mo的方阻一般做到个位数就不错了，用磁控溅射方法做，这个工业上很成熟的，不会出现针孔，如果有针孔也很好解决，可能是基片清洗问题或真空设备内腔不干净。
CIGS用霍尔效应测试，就可以知道是不是p型了，简易的 ...

CIGS中Mo层背电极层文献都说采用高低压力沉积,请问楼主如果用DC sputtering 方法怎么做能达到既具有良好结合力有具有低电阻率？
工业生产中主流采用Mo电极是怎么做的？
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30楼2012-03-23 17:24:54
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