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luanhx03

金虫 (初入文坛)


aishan(金币+1): 感谢交流 2012-03-02 12:03:41
引用回帖:
: Originally posted by liuyanan6168 at 2012-03-01 21:59:59:
请问用磁控溅射溅射ZnO,可否用中频溅射?有没有相关文章啊

可以用中频溅射,没问题的,但必须是反应溅射,也就是所用的ZnO靶材是偏离了化学计量比的,Zn原子比例偏高,所以溅射时要通氧气
这方面文章不少,去知网搜一下都有的
11楼2012-03-01 23:38:44
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minglight9

铁杆木虫 (著名写手)

工程师

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
aishan(金币+1): 感谢交流 2012-03-02 12:03:53
引用回帖:
9楼: Originally posted by luanhx03 at 2012-03-01 20:36:14:
问题有点多,继续回复,呵呵
ZnO你说的是射频溅射还是磁控溅射,这个不同的机器和方法工艺都不同的,不过磁控溅射必须用反应溅射,这是肯定的。这一层做的时候主要评价标准是方阻和透过率,一般可见光透过率能达 ...

感谢您的回帖。工业上和实验样品上我都希望了解,如何引出测试电极。
再牛逼的肖邦也弹不出老子的悲伤。
12楼2012-03-02 07:51:49
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爱惜花草

木虫 (著名写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
aishan(金币+1): 感谢交流 2012-03-02 13:16:45
CIGS和III-V多节聚光相比哪个更有前景?
一步一步去实现自己的目标,不要让自己成为自己的绊脚石,克制自己!
13楼2012-03-02 13:06:03
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luanhx03

金虫 (初入文坛)

★ ★
aishan(金币+2): 2012-03-02 14:51:24
引用回帖:
: Originally posted by minglight9 at 2012-03-02 07:51:49:
感谢您的回帖。工业上和实验样品上我都希望了解,如何引出测试电极。

实验室一般背电极就是金属Mo,正电极是在CIGS上面蒸发制备一层Ni/Al栅极,制备成一定的面积和样式即可;
工业上就要做电池的内联,在电池内部进行刻划,刻划有三步,第一步是用激光刻划,刻Mo;第二步和第三部是用机械刻划,第二步是把CIGS划开,第三部是把透明导电薄膜划开。然后通过银奖和铜带引出正电极。背电极还是金属Mo,这个是不变的。
14楼2012-03-02 14:05:38
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luanhx03

金虫 (初入文坛)


aishan(金币+1): 感谢交流 2012-03-02 14:51:34
引用回帖:
: Originally posted by 爱惜花草 at 2012-03-02 13:06:03:
CIGS和III-V多节聚光相比哪个更有前景?

III-V因为里面的元素有毒,一般在民用领域是不行的,在太空中常用,转换效率较高,适合用聚光,在地面特殊领域应用也可以
CIGS一般不用聚光,没必要,我觉得,因为CIGS的制造成本较低,直接大面积制造就行了,没必要聚光
15楼2012-03-02 14:08:31
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gongjf

木虫 (小有名气)

★ ★
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aishan(金币+1): 感谢交流 2012-03-02 14:51:46
有两个问题,请高手解惑。
1) 电极的接法。上面已经看到你大概回答了类似问题,Mo采用导电银胶和铜丝,ZnO上采用NiAl合金,想问的是这工接法 是不是工业上的普遍接法,它们的接触是欧姆接触吗?
2)基础问题。CIGS是吸光层,其中电子与空穴的分离遵循什么机制,能不能推荐几篇参考文献。


谢谢
16楼2012-03-02 14:42:52
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luanhx03

金虫 (初入文坛)

★ ★
aishan(金币+2): 感谢交流 2012-03-02 19:53:28
引用回帖:
: Originally posted by gongjf at 2012-03-02 14:42:52:
有两个问题,请高手解惑。
1) 电极的接法。上面已经看到你大概回答了类似问题,Mo采用导电银胶和铜丝,ZnO上采用NiAl合金,想问的是这工接法 是不是工业上的普遍接法,它们的接触是欧姆接触吗?
2)基础问题。 ...

关于第一个问题,ZAO和NiAl的欧姆接触问题,这个问题我曾经研究过一些,你看两年前我还发过帖子问这个问题呢,那时候我研究了一下他们的接触问题,通过理论分析和IV测试,可以测定他们是欧姆接触,没问题的,基本不存在肖特基接触。注意,是NiAl与ZAO,不是和ZnO;金半接触方面有很多文献,一查便知;另外工业上的银胶铜带就更不用说了,一般只要银胶做好了是没问题的

关于第二个问题,可能我这方面理论功底比较浅,我不知道你说的是哪方面的机制?
17楼2012-03-02 15:24:20
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minglight9

铁杆木虫 (著名写手)

工程师


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
14楼: Originally posted by luanhx03 at 2012-03-02 14:05:38:
实验室一般背电极就是金属Mo,正电极是在CIGS上面蒸发制备一层Ni/Al栅极,制备成一定的面积和样式即可;
工业上就要做电池的内联,在电池内部进行刻划,刻划有三步,第一步是用激光刻划,刻Mo;第二步和第三部是 ...

工业上的内连接我有所了解,但是P2那条线之后覆盖一层透明导电膜连接到下一个子电池的背电极,会不会引起正电极直接和CIGS层之间的电子和空穴复合从而导致电池失效??
再牛逼的肖邦也弹不出老子的悲伤。
18楼2012-03-02 17:38:12
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minglight9

铁杆木虫 (著名写手)

工程师


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
9楼: Originally posted by luanhx03 at 2012-03-01 20:36:14:
问题有点多,继续回复,呵呵
ZnO你说的是射频溅射还是磁控溅射,这个不同的机器和方法工艺都不同的,不过磁控溅射必须用反应溅射,这是肯定的。这一层做的时候主要评价标准是方阻和透过率,一般可见光透过率能达 ...

我们是用磁控溅射的方法做的,直流电源进行溅射,溅射过程中如何防止因为粒子能量过高而导致azo层直接与CIGS层、CdS层、ZnO层混成一个层?
再牛逼的肖邦也弹不出老子的悲伤。
19楼2012-03-02 17:48:13
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luanhx03

金虫 (初入文坛)


aishan(金币+1): 感谢交流 2012-03-02 19:53:47
引用回帖:
: Originally posted by minglight9 at 2012-03-02 17:38:12:
工业上的内连接我有所了解,但是P2那条线之后覆盖一层透明导电膜连接到下一个子电池的背电极,会不会引起正电极直接和CIGS层之间的电子和空穴复合从而导致电池失效??

实际做下来的结果说明,完全没问题的,恩
20楼2012-03-02 18:08:25
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