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jxlcwy

铁杆木虫 (著名写手)

[求助] 求翻译

由图4b显示,在1 MHz时CCTO陶瓷的介电损耗随SiO2含量的增加而降低,当SiO2为2 wt%和10wt% 时介电损耗分别为0.07和0.06左右,比纯CCTO陶瓷介电损耗明显降低。Aygiin等 在研究Nb5+掺杂CCTO的陶瓷时也出现了类似的现象,文献[13]则认为Nb5+与CCTO会发生固相应,生成的新物相将聚积在晶粒的边界,从而形成相对较厚的晶界层,而促使晶界电阻的增大,这就必将会造成介电损耗降低。而前文中的XRD研究表明SiO2,与CCTO之间没有固相反应发生,因此这应是存在于晶界处的SiO2物质本身导致了CCTO陶瓷介电损耗的降低,这一点将在下面的阻抗测试结果中得到验证.
求翻译文献,不要直接用软件翻译的。求大虾帮忙。。

[ Last edited by jxlcwy on 2012-2-21 at 19:29 ]
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jxlcwy

铁杆木虫 (著名写手)

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2楼2012-02-29 22:26:07
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