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jxlcwy铁杆木虫 (著名写手)
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由图4b显示，在1 MHz时CCTO陶瓷的介电损耗随SiO2含量的增加而降低，当SiO2为2 wt％和10wt％ 时介电损耗分别为0．07和0．06左右，比纯CCTO陶瓷介电损耗明显降低。Aygiin等 在研究Nb5+掺杂CCTO的陶瓷时也出现了类似的现象，文献[13]则认为Nb5+与CCTO会发生固相应，生成的新物相将聚积在晶粒的边界，从而形成相对较厚的晶界层，而促使晶界电阻的增大，这就必将会造成介电损耗降低。而前文中的XRD研究表明SiO2，与CCTO之间没有固相反应发生，因此这应是存在于晶界处的SiO2物质本身导致了CCTO陶瓷介电损耗的降低，这一点将在下面的阻抗测试结果中得到验证. 求翻译文献，不要直接用软件翻译的。求大虾帮忙。。 [ Last edited by jxlcwy on 2012-2-21 at 19:29 ] |
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铁杆木虫 (著名写手)
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2楼2012-02-29 22:26:07