| 查看: 1446 | 回复: 2 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
[求助]
关于高斯中加电场优化
|
||
|
高斯说明书中关于field关键词提到 在有电场存在的情况下进行几何优化，必须用Opt=Z-Matrix NoSymm关键词，并用传统的Z矩阵坐标或带符号的笛卡尔坐标定义输入结构， 那么对于小体系就直接用直角坐标行么？如果用直角坐标优化对于结果有差别么？ |
回复此楼» 猜你喜欢
招贤纳博（已结束）
已经有29人回复
-
表征测试机构后台私聊我
已经有0人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有245人回复
-
Coordination Chemistry Reviews
已经有1人回复
-
请问现在还有电池材料方向的博导招人吗
已经有4人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
高斯考虑溶剂效应后优化出错
已经有8人回复- 高斯优化求助
已经有7人回复
- 高斯对多分子体系的构型优化
已经有4人回复
- [求助]：高斯中的CIS是否能够优化开壳层的激发态结构，例如双重态，四重态的激发态
已经有8人回复
- 用高斯09计算的tddft方法优化激发态出现问题如何解决？
已经有15人回复
- 【求助】求助：用高斯优化S1态时，原来的键总是断了！
已经有6人回复
- 【讨论】这简直是爆炸反应啊（TNT算毛毛啊），高斯怎能这样优化，有图有真相
已经有8人回复
- 【求助】咨询：高斯优化中局域能量最小值和全局最小值的问题
已经有6人回复
- 【求助】请教有关应用高斯软件优化分子结构时的问题
已经有6人回复
- 【求助】高斯优化过渡态出错
已经有14人回复
2楼2012-05-02 21:04:37