| 查看: 662 | 回复: 4 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
The-One金虫 (正式写手)
|
[求助]
掺杂后的剪刀工具
|
|
| 纯的半导体,带隙算完后被低估了,其光学特性需要加剪刀工具,比如1eV吧,掺杂后的光学特性,剪刀工具为什么还选择同样的值呢(1eV) |
» 猜你喜欢
数一英一271专硕(085401)求调剂,可跨
已经有8人回复
295求调剂
已经有4人回复
0856求调剂
已经有5人回复
材料学硕333求调剂
已经有10人回复
299求调剂
已经有6人回复
一志愿郑州大学,080500学硕,总分317分求调剂
已经有6人回复
289求调剂
已经有12人回复
070305高分子化学与物理 304分求调剂
已经有6人回复
0703化学调剂,求导师收
已经有10人回复
各位老师好,我的一志愿为北京科技大学085601材料专硕
已经有5人回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
Fe掺杂TiO2时,为什么既可以做施主能级又可以做受主能级?
已经有11人回复
关于MS中掺杂的问题?
已经有21人回复
高分辨电镜图分析Ag掺杂ZnO
已经有15人回复
请问光催化金属沉积、掺杂和半导体复合的缺点分别是什么?
已经有14人回复
利用什么方法可以确定掺杂元素究竟进入晶格里面没有?
已经有18人回复
锰酸锂掺杂F与粒度的关系
已经有10人回复
做掺杂后超晶胞晶格参数和体积的变化
已经有5人回复
vasp计算中如何比较掺杂前后结合能
已经有13人回复
掺杂结构精修问题
已经有4人回复
【求助】掺杂后带隙的问题
已经有28人回复
【求助】xrd谱图掺杂后强度变化
已经有10人回复
【求助】castep计算半导体掺杂后费米能级进入导带
已经有10人回复

navyzhang
木虫 (正式写手)
- 应助: 20 (小学生)
- 金币: 1411.8
- 散金: 1197
- 红花: 5
- 帖子: 640
- 在线: 187.1小时
- 虫号: 883307
- 注册: 2009-10-25
- 性别: GG
- 专业: 理论和计算化学
4楼2011-12-25 11:48:19
duyujie442
铁杆木虫 (著名写手)
- 1ST强帖: 1
- 应助: 10 (幼儿园)
- 金币: 6742.8
- 散金: 916
- 红花: 6
- 帖子: 1685
- 在线: 746.8小时
- 虫号: 896961
- 注册: 2009-11-08
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II :电子结构
2楼2011-12-23 15:22:35
tt.yao
荣誉版主 (知名作家)
爱思考的小强
- 应助: 189 (高中生)
- 贵宾: 20.732
- 金币: 31443.3
- 散金: 13793
- 红花: 130
- 沙发: 21
- 帖子: 6332
- 在线: 1052.3小时
- 虫号: 606992
- 注册: 2008-09-19
- 专业: 凝聚态物性 II :电子结构
- 管辖: 微米和纳米

3楼2011-12-25 09:37:32
buct2010
金虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 10
- 应助: 27 (小学生)
- 金币: 2328.6
- 散金: 306
- 红花: 11
- 帖子: 351
- 在线: 231.2小时
- 虫号: 1129027
- 注册: 2010-10-22
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II :电子结构
- 管辖: 第一性原理
5楼2011-12-25 21:02:34














回复此楼
6