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cenwanglai荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
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[求助]
[求助完毕]单原子掺杂金属氧化物，不同位置氧空位形成能不一样，这是为什么呢？
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某个金属氧化物AO, 用B取代表面上一个A原子。不同位置形成氧空位所需要的能量是不一样的。模型如下图所示，红色为氧原子，掺杂原子标注为dopant.图中标出了形成单氧空位的1~3三个不同位置。假设氧空位形成能依次为-0.6eV, 0.3eV, 0.8eV. 如何让解释这三个位置上氧空位形成能的差异呢？ 解释氧空位形成能的差异的时候，我觉得可以从两个角度来说： （1）氧空位处与掺杂点之间的相互作用不同导致氧空位形成能不同； （2）分析PDOS，找出不同氧空位结构的TDOS和PDOS，仔细对比能量低的态来。然后说一通杂化之类的dongdong. 但是，氧空位形成能差别就那么一点点，电子占据态的差别也就在一个电子的量级上，这在动辄几百个电子的超胞背景中，被掩盖得体无完肤。 请问各位虫子是怎么处理的呢？欢迎提供文献或者建议！！！  金属氧化物表面取代掺杂模型。dopant为取代掺杂原子。标注1~3的红色原子表示三个氧空位形成位置。 [ Last edited by cenwanglai on 2011-12-8 at 09:23 ] |
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5楼2011-11-29 11:50:43
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好难啊。。。。不懂哎 
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