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castep计算时有关bandstructure的值与scissors的关系
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本人在计算一维半导体材料时遇到了这样的问题，希望和大家讨论下 1)一维模型加20埃真空层时，计算出来的禁带宽度是0.212eV，增大scissors的值（范围在0~1ev之间），禁带宽度没有变化，态密度图在费米面上的值降低 2)同样的上述一维模型，计算参数相同，唯一不同的就是真空层加了10埃，计算出来的禁带宽度是0.102ev（scissors值为0），当增大scissors值时，禁带宽度发生了变化，而且是剪刀算子增大多少，禁带宽度增大多少。 求解：我的模型是一维纳米材料的，没有实验上的数据支持，我得到的禁带宽度应该包涵scissors值吗？？ |
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5楼2011-11-29 08:27:51
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windowtt8楼
2012-01-14 11:44
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