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lixiao85

银虫 (小有名气)


[交流] castep计算时有关bandstructure的值与scissors的关系

本人在计算一维半导体材料时遇到了这样的问题,希望和大家讨论下
1)一维模型加20埃真空层时,计算出来的禁带宽度是0.212eV,增大scissors的值(范围在0~1ev之间),禁带宽度没有变化,态密度图在费米面上的值降低
2)同样的上述一维模型,计算参数相同,唯一不同的就是真空层加了10埃,计算出来的禁带宽度是0.102ev(scissors值为0),当增大scissors值时,禁带宽度发生了变化,而且是剪刀算子增大多少,禁带宽度增大多少。
求解:我的模型是一维纳米材料的,没有实验上的数据支持,我得到的禁带宽度应该包涵scissors值吗??
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farfaraway08

铜虫 (著名写手)


★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
lixiao85(金币+1): 2011-12-01 11:11:24
franch(金币+3): 鼓励交流,,呵呵。。 2011-12-05 20:44:31
个人感觉哈,scissors的设置就是为了调整禁带宽度,使之与实验数据相符吧,这个如果没有文献支持的话,就不知道如何设置了。认识有限,还请高手来解决你的问题。
5楼2011-11-29 08:27:51
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