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lixiao85

银虫 (小有名气)


[交流] castep计算时有关bandstructure的值与scissors的关系

本人在计算一维半导体材料时遇到了这样的问题,希望和大家讨论下
1)一维模型加20埃真空层时,计算出来的禁带宽度是0.212eV,增大scissors的值(范围在0~1ev之间),禁带宽度没有变化,态密度图在费米面上的值降低
2)同样的上述一维模型,计算参数相同,唯一不同的就是真空层加了10埃,计算出来的禁带宽度是0.102ev(scissors值为0),当增大scissors值时,禁带宽度发生了变化,而且是剪刀算子增大多少,禁带宽度增大多少。
求解:我的模型是一维纳米材料的,没有实验上的数据支持,我得到的禁带宽度应该包涵scissors值吗??
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guodonglin

至尊木虫 (职业作家)


★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
liliangfang(金币+1): 谢谢提示 2012-01-15 13:29:55
实验值减去你计算的带隙,就是scissors的值
9楼2012-01-15 13:13:30
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