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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » castep计算时有关bandstructure的值与scissors的关系
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lixiao85

银虫 (小有名气)

[交流] castep计算时有关bandstructure的值与scissors的关系

本人在计算一维半导体材料时遇到了这样的问题，希望和大家讨论下
1)一维模型加20埃真空层时，计算出来的禁带宽度是0.212eV，增大scissors的值（范围在0~1ev之间），禁带宽度没有变化，态密度图在费米面上的值降低
2)同样的上述一维模型，计算参数相同，唯一不同的就是真空层加了10埃，计算出来的禁带宽度是0.102ev（scissors值为0），当增大scissors值时，禁带宽度发生了变化，而且是剪刀算子增大多少，禁带宽度增大多少。
求解：我的模型是一维纳米材料的，没有实验上的数据支持，我得到的禁带宽度应该包涵scissors值吗？？
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1楼2011-11-28 15:15:50
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leachmond

金虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
lixiao85(金币+3): 谢谢。我做的是过渡金属氧化物的一维纳米线的电子性能的分析，实验数据上有的很多都是该一维氧化物的制备，以及气敏性能的研究， 2011-11-28 20:04:58
这个问题的解决方法 我目前只知道一个 首先你计算的是什么物质 具体地名字 然后就是去文献库里面搜索相关的文献 那个里面一般都有相关的实验数据可以作参考 对你的项目了解不多 只能说这么多 希望可以帮到你
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4楼2011-11-28 19:53:14
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