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氮化镓掺杂镁相关
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韩D小希
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[交流]
氮化镓掺杂镁相关
有大侠做GaN掺杂的么?
我想知道氮化镓的带隙大概是多少,如果掺入镁,那么其离化能是多少呢?
我找过文献,氮化镓掺杂镁的的确有不少,可是没有看到这两个方面的
有知道的还请指教 附件上文献链接更是万分感谢
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2011-11-24 21:08:34
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韩D小希(金币
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):谢谢参与
贺仪(金币+1): 多谢指教! 2011-11-25 08:25:50
Mg 掺杂GaN 表现是受主,第一原理计算它的电离能为0.2 eV(Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996));
实验给出Mg受主的电离能为 0.208 eV(Mater. Sci. Eng. B 59, 211 (1999))。
带隙是3点几电子伏,记不清了。
.
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2011-11-25 06:26:34
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2楼
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Originally posted by
stractor
at 2011-11-25 06:26:34:
Mg 掺杂GaN 表现是受主,第一原理计算它的电离能为0.2 eV(Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996));
实验给出Mg受主的电离能为 0.208 eV(Mater. Sci. Eng. B 59, 211 (1999))。
带隙是3点几电子伏,记不清了。
.
感谢 速去看文献
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3楼
2011-11-25 08:11:59
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韩D小希(金币
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):谢谢参与
WDD880227(金币+1): 感谢交流 2012-02-14 19:34:44
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2011-11-25 13:07:50
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4楼
:
Originally posted by
154696523
at 2011-11-25 13:07:50:
3.45eV
谢谢 还有相应的文献么 想调研下
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6楼
2011-11-25 22:25:47
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franch(金币+3): 鼓励交流,,呵呵 2011-11-28 22:01:50
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6楼
:
Originally posted by
韩D小希
at 2011-11-25 22:25:47:
谢谢 还有相应的文献么 想调研下
GaN高频元件应用领域与发展现状:光连双月刊2003/11.48期28-30。
或者看一下附件的资料,或许有帮助
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GaN基宽带隙半导体发射器件.pdf
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附件 2 :
GaN_第三代半导体的曙光.pdf
2011-11-28 15:54:46, 658.43 K
7楼
2011-11-28 15:58:55
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Originally posted by
154696523
at 2011-11-28 15:58:55:
GaN高频元件应用领域与发展现状:光连双月刊2003/11.48期28-30。
或者看一下附件的资料,或许有帮助
谢谢
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8楼
2011-11-29 08:12:04
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继续求教
请问大家在计算GaN掺杂Mg时 怎么样计算Ga的化学势呢
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9楼
2011-11-29 20:25:34
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):谢谢参与
楼主,有做过镁在氮化镓中的扩散研究吗?不同温度的扩散系数?做个参考
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10楼
2012-02-14 13:35:18
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10楼
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Originally posted by
lwb870525
at 2012-02-14 13:35:18:
楼主,有做过镁在氮化镓中的扩散研究吗?不同温度的扩散系数?做个参考
没 我只是需要这方面的调研 没有做具体研究
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11楼
2012-02-14 14:48:30
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韩D小希(金币
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liliangfang(金币+1): 多谢指教 2012-02-15 09:27:22
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9楼
:
Originally posted by
韩D小希
at 2011-11-29 20:25:34:
继续求教
请问大家在计算GaN掺杂Mg时 怎么样计算Ga的化学势呢
先计算Ga金属的总能量E,然后除以Ga原子数目N,就得到Ga的化学势
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12楼
2012-02-14 19:36:03
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12楼
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Originally posted by
WDD880227
at 2012-02-14 19:36:03:
先计算Ga金属的总能量E,然后除以Ga原子数目N,就得到Ga的化学势
恩 谢谢您
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13楼
2012-02-15 08:09:11
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韩D小希
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问题已解决 多谢大家
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2012-02-15 08:09:27
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2011-11-25 13:57
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