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韩D小希

铁虫 (正式写手)


[交流] 氮化镓掺杂镁相关

有大侠做GaN掺杂的么?
我想知道氮化镓的带隙大概是多少,如果掺入镁,那么其离化能是多少呢?

我找过文献,氮化镓掺杂镁的的确有不少,可是没有看到这两个方面的

有知道的还请指教  附件上文献链接更是万分感谢
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韩D小希

铁虫 (正式写手)


引用回帖:
7楼: Originally posted by 154696523 at 2011-11-28 15:58:55:
GaN高频元件应用领域与发展现状:光连双月刊2003/11.48期28-30。

或者看一下附件的资料,或许有帮助

谢谢
8楼2011-11-29 08:12:04
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stractor

金虫 (著名写手)


★ ★
韩D小希(金币+1):谢谢参与
贺仪(金币+1): 多谢指教! 2011-11-25 08:25:50
Mg 掺杂GaN 表现是受主,第一原理计算它的电离能为0.2 eV(Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996));
实验给出Mg受主的电离能为 0.208 eV(Mater. Sci. Eng. B 59, 211 (1999))。
带隙是3点几电子伏,记不清了。
.
2楼2011-11-25 06:26:34
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韩D小希

铁虫 (正式写手)


引用回帖:
2楼: Originally posted by stractor at 2011-11-25 06:26:34:
Mg 掺杂GaN 表现是受主,第一原理计算它的电离能为0.2 eV(Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996));
实验给出Mg受主的电离能为 0.208 eV(Mater. Sci. Eng. B 59, 211 (1999))。
带隙是3点几电子伏,记不清了。
.

感谢 速去看文献
3楼2011-11-25 08:11:59
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韩D小希

铁虫 (正式写手)


引用回帖:
4楼: Originally posted by 154696523 at 2011-11-25 13:07:50:
3.45eV

谢谢 还有相应的文献么  想调研下
6楼2011-11-25 22:25:47
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khgao5楼
2011-11-25 13:57   回复  
韩D小希(金币+1):谢谢参与
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