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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 其他 » 氮化镓掺杂镁相关
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韩D小希

铁虫 (正式写手)

[交流] 氮化镓掺杂镁相关

有大侠做GaN掺杂的么？
我想知道氮化镓的带隙大概是多少，如果掺入镁，那么其离化能是多少呢？

我找过文献，氮化镓掺杂镁的的确有不少，可是没有看到这两个方面的

有知道的还请指教  附件上文献链接更是万分感谢
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1楼 2011-11-24 21:08:34
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154696523

金虫 (著名写手)
★ ★ ★
franch(金币+3): 鼓励交流，，呵呵 2011-11-28 22:01:50
引用回帖:
6楼: Originally posted by 韩D小希 at 2011-11-25 22:25:47:
谢谢 还有相应的文献么  想调研下

GaN高频元件应用领域与发展现状：光连双月刊2003/11.48期28-30。

或者看一下附件的资料，或许有帮助
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  • 附件 1 : GaN基宽带隙半导体发射器件.pdf
    • 2011-11-28 15:54:32, 188.49 K
  • 附件 2 : GaN_第三代半导体的曙光.pdf
    • 2011-11-28 15:54:46, 658.43 K
7楼2011-11-28 15:58:55
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stractor

金虫 (著名写手)
★ ★
韩D小希(金币+1):谢谢参与
贺仪(金币+1): 多谢指教！ 2011-11-25 08:25:50
Mg 掺杂GaN 表现是受主，第一原理计算它的电离能为0.2 eV（Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996)）；
实验给出Mg受主的电离能为 0.208 eV（Mater. Sci. Eng. B 59, 211 (1999)）。
带隙是3点几电子伏，记不清了。
.
赞一下(2人) 回复此楼
2楼2011-11-25 06:26:34
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韩D小希

铁虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by stractor at 2011-11-25 06:26:34:
Mg 掺杂GaN 表现是受主，第一原理计算它的电离能为0.2 eV（Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996)）；
实验给出Mg受主的电离能为 0.208 eV（Mater. Sci. Eng. B 59, 211 (1999)）。
带隙是3点几电子伏，记不清了。
.

感谢 速去看文献
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3楼2011-11-25 08:11:59
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韩D小希

铁虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 154696523 at 2011-11-25 13:07:50:
3.45eV

谢谢 还有相应的文献么  想调研下
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6楼2011-11-25 22:25:47
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khgao5楼
2011-11-25 13:57   回复  
韩D小希(金币+1):谢谢参与
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