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haowenping木虫 (著名写手)
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vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
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各位大仙，本人在计算半导体结构的时候，为何bands里面的带隙比dos里面的大一些？感觉明显的对应不上。 在计算SCF的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，bands的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，DOS计算时候ISMEAR=0，SIGMA=0.01.计算结束，scf里面的费米能级是-2.1285，bands里面的费米能级是-2.2053，dos里面的费米能级是-2.1273。 计算scf的时候K点选取为：4x4x2，dos计算时候K点选取为12x12x2。 下面是对应不上的图片： 希望大家多多帮忙。  |
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