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romance95599
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多晶硅加热
请问各位大佬谁知道把多晶硅加热到八百度左右有什么作用?
有木有文献发给我下,多谢!!
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2011-11-16 12:59:30
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hhucy(金币+1): 欢迎讨论 2011-11-16 21:13:58
800℃左右硅的导电率急剧增加(这个是道听途说的,没验证过,感觉上是),
或是为了加速氧化为了除杂质,应该要同时通入湿氧。
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2011-11-16 15:19:11
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UGMS
at 2011-11-16 15:19:11:
800℃左右硅的导电率急剧增加(这个是道听途说的,没验证过,感觉上是),
或是为了加速氧化为了除杂质,应该要同时通入湿氧。
除杂的温度都很高,导电性急剧增加有什么作用呢?貌似600℃就开始增加了!
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3楼
2011-11-16 20:31:14
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romance95599
at 2011-11-16 20:31:14:
除杂的温度都很高,导电性急剧增加有什么作用呢?貌似600℃就开始增加了!
低温氧化是形成SiO2,然后杂质通过扩散进入SiO2,在用酸洗掉SiO2.
导电率增加是为了能进行感应加热。
你硅的品质是什么品质?你试验的目的是什么?
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2011-11-17 08:25:46
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UGMS
at 2011-11-17 08:25:46:
低温氧化是形成SiO2,然后杂质通过扩散进入SiO2,在用酸洗掉SiO2.
导电率增加是为了能进行感应加热。
你硅的品质是什么品质?你试验的目的是什么?
就是不知道试验的目的所以才请教下!
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2011-11-17 10:31:12
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你们料是什么品质的?大的目的是什么?后道工序是什么?
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2011-11-17 10:39:14
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你是不是想纯化多晶硅,加热到800度会形成氧化层,对于不同粒度的粉末硅来说,之后的酸洗还是有不同效果的,不过也没什么大的提纯效果的提高。
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2011-11-24 11:26:37
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dongliang8377
at 2011-11-24 11:26:37:
你是不是想纯化多晶硅,加热到800度会形成氧化层,对于不同粒度的粉末硅来说,之后的酸洗还是有不同效果的,不过也没什么大的提纯效果的提高。
我做的是硅锭,不是粉末的!
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8楼
2011-11-24 22:07:33
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romance95599
at 2011-11-24 22:07:33:
我做的是硅锭,不是粉末的!
铸锭后退火消除应力?
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9楼
2011-11-25 12:25:00
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SCU_magiclee
at 2011-11-25 12:25:00:
铸锭后退火消除应力?
我觉得应该算是好热处理消除境界缺陷吧
再问下多晶硅加热到熔点需要多长时间,有没有相关文献给我几篇,
O(∩_∩)O谢谢!
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10楼
2011-11-25 16:34:18
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Originally posted by
romance95599
at 2011-11-25 16:34:18:
我觉得应该算是好热处理消除境界缺陷吧
再问下多晶硅加热到熔点需要多长时间,有没有相关文献给我几篇,
O(∩_∩)O谢谢!
看你的加热方式和加热器功率啊,熔点1400多度,一般都要在熔点温度保持一段时间才能完全熔融。想通过加热将晶粒长大,从而减少晶界的话,6-700度有点玄吧。。你是做多晶硅铸锭的哪一块啊?是科研单位还是企业?
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2011-11-25 18:55:01
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Originally posted by
SCU_magiclee
at 2011-11-25 18:55:01:
看你的加热方式和加热器功率啊,熔点1400多度,一般都要在熔点温度保持一段时间才能完全熔融。想通过加热将晶粒长大,从而减少晶界的话,6-700度有点玄吧。。你是做多晶硅铸锭的哪一块啊?是科研单位还是企业?
科研单位,加热方式都有哪些?最快多长时间可以到1410℃呢?
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12楼
2011-11-26 12:45:04
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