[交流] 多晶硅加热

2楼: Originally posted by UGMS at 2011-11-16 15:19:11:
800℃左右硅的导电率急剧增加（这个是道听途说的，没验证过，感觉上是），
或是为了加速氧化为了除杂质，应该要同时通入湿氧。

3楼: Originally posted by romance95599 at 2011-11-16 20:31:14:
除杂的温度都很高，导电性急剧增加有什么作用呢？貌似600℃就开始增加了！

4楼: Originally posted by UGMS at 2011-11-17 08:25:46:
低温氧化是形成SiO2，然后杂质通过扩散进入SiO2，在用酸洗掉SiO2.
导电率增加是为了能进行感应加热。
你硅的品质是什么品质？你试验的目的是什么？

7楼: Originally posted by dongliang8377 at 2011-11-24 11:26:37:
你是不是想纯化多晶硅，加热到800度会形成氧化层，对于不同粒度的粉末硅来说，之后的酸洗还是有不同效果的，不过也没什么大的提纯效果的提高。

8楼: Originally posted by romance95599 at 2011-11-24 22:07:33:
我做的是硅锭，不是粉末的！

9楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2011-11-25 12:25:00:
铸锭后退火消除应力？

10楼: Originally posted by romance95599 at 2011-11-25 16:34:18:
我觉得应该算是好热处理消除境界缺陷吧
再问下多晶硅加热到熔点需要多长时间，有没有相关文献给我几篇，
O(∩_∩)O谢谢！

11楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2011-11-25 18:55:01:
看你的加热方式和加热器功率啊，熔点1400多度，一般都要在熔点温度保持一段时间才能完全熔融。想通过加热将晶粒长大，从而减少晶界的话，6-700度有点玄吧。。你是做多晶硅铸锭的哪一块啊？是科研单位还是企业？