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氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位的影响
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chinaworm
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[交流]
氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位的影响
氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位有什么影响啊?
如果在氮气下烧结,氧空位是增加还是减少?
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2011-10-27 08:52:36
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whd博士
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chinaworm(金币
+1
):谢谢参与
Missile521(金币+1): 谢谢博士~ 2011-10-27 20:59:34
不知道你问这个的目的是什么,一般考虑这个的话都是做半导体之类的或者掺杂改性。如果不是,那还是考虑下楼上的,确实如此,控制晶型转变才是重点。不过还是说下吧,一般气氛对氧化物陶瓷烧结过程中点缺陷的影响还是有的,有些甚至比较大,例如氧化钛,利用这一点可以制备半导体。对氧化锆的倒是不是很厉害吧,不过应该是氧空位浓度与气氛中氧分压的多少次方成反比,就是氧化气氛越好,其氧空位浓度越小。至于氮气氛下,算是还原气氛,因为初始氧分压达不到平衡氧分压,所以估计烧结过程中氧空位浓度要增加了~~~~~~个人意见,仅供参考~~~~~~
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8楼
2011-10-27 20:50:49
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timbercreek
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chinaworm(金币
+1
):谢谢参与
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-10-27 09:51:58
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-17 09:06:12
还原气氛下烧结会脱氧。氧空位增加
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2楼
2011-10-27 09:42:50
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wangsanhai0
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chinaworm(金币
+1
):谢谢参与
Missile521(金币+1): 鼓励交流~ 2011-10-27 14:42:50
可以把烧结的样品做个XRD 应该是要做3个 一个是还原烧结,一个是氮气气氛烧结,一个是敞开普通烧结,之后做XRD 看看晶格常数有没有变化,如果氧化锆晶格常数在还原烧结时变小了 我觉得就应该是氧空位变多的缘故,反之...估计没有反之,氮气气氛的一样可以对比。
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2011-10-27 11:01:42
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chinaworm(金币
+1
):谢谢参与
氮气下烧结,对氧空位的影响不是很大吧
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5楼
2011-10-27 11:48:02
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