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氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位的影响
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氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位有什么影响啊？ 如果在氮气下烧结，氧空位是增加还是减少？ |
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2楼2011-10-27 09:42:50
3楼2011-10-27 11:01:42
4楼2011-10-27 11:05:35
5楼2011-10-27 11:48:02
6楼2011-10-27 15:34:55
7楼2011-10-27 18:04:08
★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521(金币+1): 谢谢博士~ 2011-10-27 20:59:34
chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521(金币+1): 谢谢博士~ 2011-10-27 20:59:34
| 不知道你问这个的目的是什么，一般考虑这个的话都是做半导体之类的或者掺杂改性。如果不是，那还是考虑下楼上的，确实如此，控制晶型转变才是重点。不过还是说下吧，一般气氛对氧化物陶瓷烧结过程中点缺陷的影响还是有的，有些甚至比较大，例如氧化钛，利用这一点可以制备半导体。对氧化锆的倒是不是很厉害吧，不过应该是氧空位浓度与气氛中氧分压的多少次方成反比，就是氧化气氛越好，其氧空位浓度越小。至于氮气氛下，算是还原气氛，因为初始氧分压达不到平衡氧分压，所以估计烧结过程中氧空位浓度要增加了~~~~~~个人意见，仅供参考~~~~~~ |
8楼2011-10-27 20:50:49
★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
huangzx1314(金币+1): 鼓励交流~~ 2011-10-28 11:15:45
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-17 09:04:30
chinaworm(金币+1):谢谢参与
huangzx1314(金币+1): 鼓励交流~~ 2011-10-28 11:15:45
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-17 09:04:30
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低氧分压肯定会导致内部缺陷增加即氧空位增加。，就算烧好了放还原性气氛下退火也能增加氧空位，就是增加多少的问题。本质上氧化锆总会由于热运动原因产生本征缺陷，这个本征缺陷会尽量与外界氧分压保持平衡的，高温下这个平衡过程应该比较快。 不过我觉得氧化锆内部氧空位主要来源于掺杂，其浓度高于本征缺陷密度好几个量级的，因此掺杂氧化锆氧空位受氧分压影响不是很大。 烧结气氛可能对于烧结中排胶过程影响很大，具体的不同粘结剂需要在不同气氛中排胶。 水平有限，如果认识有错误，请大家指出。 |
9楼2011-10-28 10:13:04
10楼2011-10-28 11:07:31
