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[交流] 氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位的影响

氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位有什么影响啊?
如果在氮气下烧结,氧空位是增加还是减少?
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timbercreek

木虫 (著名写手)


★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-10-27 09:51:58
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-17 09:06:12
还原气氛下烧结会脱氧。氧空位增加
2楼2011-10-27 09:42:50
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wangsanhai0

木虫 (著名写手)


★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521(金币+1): 鼓励交流~ 2011-10-27 14:42:50
可以把烧结的样品做个XRD      应该是要做3个      一个是还原烧结,一个是氮气气氛烧结,一个是敞开普通烧结,之后做XRD 看看晶格常数有没有变化,如果氧化锆晶格常数在还原烧结时变小了   我觉得就应该是氧空位变多的缘故,反之...估计没有反之,氮气气氛的一样可以对比。
3楼2011-10-27 11:01:42
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wht3198

木虫 (著名写手)



chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521: 不知道,就需要学习,并且还要学习本版的相关规定!!! 2011-10-27 14:43:34
不知道
4楼2011-10-27 11:05:35
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yiouzhao

铜虫 (小有名气)



chinaworm(金币+1):谢谢参与
氮气下烧结,对氧空位的影响不是很大吧
5楼2011-10-27 11:48:02
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ddyhit

银虫 (初入文坛)



chinaworm(金币+1):谢谢参与
引用回帖:
1楼: Originally posted by chinaworm at 2011-10-27 08:52:36:
氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位有什么影响啊?
如果在氮气下烧结,氧空位是增加还是减少?

只是氧化锆成分在什么气氛下烧应该是没用的吧,要看你的掺杂元素是否变价,如果不是,什么气氛都没用。赫赫,单纯从电平衡角度的结论,高手指正。
6楼2011-10-27 15:34:55
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wangsanhai0

木虫 (著名写手)


控制氮气的压力应该是关键因素,氧化锆在加热过程或冷却过程都会发生较大的体积变化,而且抗热振性也不行,所以控制晶型转变才是烧结的前提,好像看过一些资料上说氮气压力对氧化锆晶型转变的影响。
7楼2011-10-27 18:04:08
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whd博士

木虫 (著名写手)


★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521(金币+1): 谢谢博士~ 2011-10-27 20:59:34
不知道你问这个的目的是什么,一般考虑这个的话都是做半导体之类的或者掺杂改性。如果不是,那还是考虑下楼上的,确实如此,控制晶型转变才是重点。不过还是说下吧,一般气氛对氧化物陶瓷烧结过程中点缺陷的影响还是有的,有些甚至比较大,例如氧化钛,利用这一点可以制备半导体。对氧化锆的倒是不是很厉害吧,不过应该是氧空位浓度与气氛中氧分压的多少次方成反比,就是氧化气氛越好,其氧空位浓度越小。至于氮气氛下,算是还原气氛,因为初始氧分压达不到平衡氧分压,所以估计烧结过程中氧空位浓度要增加了~~~~~~个人意见,仅供参考~~~~~~
8楼2011-10-27 20:50:49
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zl-usjl

金虫 (小有名气)


★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
huangzx1314(金币+1): 鼓励交流~~ 2011-10-28 11:15:45
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-17 09:04:30
低氧分压肯定会导致内部缺陷增加即氧空位增加。,就算烧好了放还原性气氛下退火也能增加氧空位,就是增加多少的问题。本质上氧化锆总会由于热运动原因产生本征缺陷,这个本征缺陷会尽量与外界氧分压保持平衡的,高温下这个平衡过程应该比较快。


不过我觉得氧化锆内部氧空位主要来源于掺杂,其浓度高于本征缺陷密度好几个量级的,因此掺杂氧化锆氧空位受氧分压影响不是很大。



烧结气氛可能对于烧结中排胶过程影响很大,具体的不同粘结剂需要在不同气氛中排胶。

水平有限,如果认识有错误,请大家指出。
9楼2011-10-28 10:13:04
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谢谢各位的回复
看来应该是对增加氧空位有点效果
10楼2011-10-28 11:07:31
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