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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 陶瓷材料 » 氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位的影响
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chinaworm

专家顾问 (知名作家)

[交流] 氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位的影响

氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位有什么影响啊？
如果在氮气下烧结，氧空位是增加还是减少？
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1楼 2011-10-27 08:52:36
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timbercreek

木虫 (著名写手)
★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-10-27 09:51:58
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-17 09:06:12
还原气氛下烧结会脱氧。氧空位增加
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2楼2011-10-27 09:42:50
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wangsanhai0

木虫 (著名写手)
★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521(金币+1): 鼓励交流~ 2011-10-27 14:42:50
可以把烧结的样品做个XRD      应该是要做3个      一个是还原烧结，一个是氮气气氛烧结，一个是敞开普通烧结，之后做XRD 看看晶格常数有没有变化，如果氧化锆晶格常数在还原烧结时变小了   我觉得就应该是氧空位变多的缘故，反之...估计没有反之，氮气气氛的一样可以对比。
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3楼2011-10-27 11:01:42
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wht3198

木虫 (著名写手)
★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521: 不知道，就需要学习，并且还要学习本版的相关规定！！！ 2011-10-27 14:43:34
不知道
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4楼2011-10-27 11:05:35
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yiouzhao

铜虫 (小有名气)
★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
氮气下烧结，对氧空位的影响不是很大吧
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5楼2011-10-27 11:48:02
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ddyhit

银虫 (初入文坛)
★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
引用回帖:
1楼: Originally posted by chinaworm at 2011-10-27 08:52:36:
氧化锆陶瓷还原烧结对氧空位有什么影响啊？
如果在氮气下烧结，氧空位是增加还是减少？

只是氧化锆成分在什么气氛下烧应该是没用的吧，要看你的掺杂元素是否变价，如果不是，什么气氛都没用。赫赫，单纯从电平衡角度的结论，高手指正。
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6楼2011-10-27 15:34:55
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wangsanhai0

木虫 (著名写手)
控制氮气的压力应该是关键因素，氧化锆在加热过程或冷却过程都会发生较大的体积变化，而且抗热振性也不行，所以控制晶型转变才是烧结的前提，好像看过一些资料上说氮气压力对氧化锆晶型转变的影响。
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7楼2011-10-27 18:04:08
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whd博士

木虫 (著名写手)
★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
Missile521(金币+1): 谢谢博士~ 2011-10-27 20:59:34
不知道你问这个的目的是什么，一般考虑这个的话都是做半导体之类的或者掺杂改性。如果不是，那还是考虑下楼上的，确实如此，控制晶型转变才是重点。不过还是说下吧，一般气氛对氧化物陶瓷烧结过程中点缺陷的影响还是有的，有些甚至比较大，例如氧化钛，利用这一点可以制备半导体。对氧化锆的倒是不是很厉害吧，不过应该是氧空位浓度与气氛中氧分压的多少次方成反比，就是氧化气氛越好，其氧空位浓度越小。至于氮气氛下，算是还原气氛，因为初始氧分压达不到平衡氧分压，所以估计烧结过程中氧空位浓度要增加了~~~~~~个人意见，仅供参考~~~~~~
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8楼2011-10-27 20:50:49
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zl-usjl

金虫 (小有名气)
★ ★
chinaworm(金币+1):谢谢参与
huangzx1314(金币+1): 鼓励交流~~ 2011-10-28 11:15:45
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-17 09:04:30
低氧分压肯定会导致内部缺陷增加即氧空位增加。，就算烧好了放还原性气氛下退火也能增加氧空位，就是增加多少的问题。本质上氧化锆总会由于热运动原因产生本征缺陷，这个本征缺陷会尽量与外界氧分压保持平衡的，高温下这个平衡过程应该比较快。


不过我觉得氧化锆内部氧空位主要来源于掺杂，其浓度高于本征缺陷密度好几个量级的，因此掺杂氧化锆氧空位受氧分压影响不是很大。



烧结气氛可能对于烧结中排胶过程影响很大，具体的不同粘结剂需要在不同气氛中排胶。

水平有限，如果认识有错误，请大家指出。
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9楼2011-10-28 10:13:04
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chinaworm

专家顾问 (知名作家)
谢谢各位的回复
看来应该是对增加氧空位有点效果
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10楼2011-10-28 11:07:31
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