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1楼 2011-10-27 08:09:37
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identation

金虫 (著名写手)
★
uuv2010(金币+1): 多谢提示! 2011-10-30 11:28:26
uuv2010: 专家考核存档 2011-10-30 11:28:33
带隙偏低的原因在于，基于密度泛函理论的第一性原理方法得到的带隙和实验测得的带隙定义不同；前者忽略了电子间的作用，对于一个有N个电子的体系，其单电子近似的带隙为Eg=E(N,N+1)-E(N,N),而严格的带隙应该是Eg=E(N+1,N+1)-E(N,N)；因此密度泛函方法低估带隙。克服的方法如下几种：准粒子GW方法进行修正；或者采用杂化泛函，用哈特利-福克的自洽场计算，但是这两种方法据说都很耗时间，实际上是设备流，没有好的设备就悲剧了。另外，DFT+U也可以提高带隙，但这中修真仅限于强关联电子，例如f带和d带电子，而且我个人认为有凑数“嫌疑”，因为U的值是和化学环境有关的，某种程度上讲U是一个经验参数。

如果想要准的带隙，可以考虑GW和杂化泛函方法，GW我知道的ABINIT可以实现，PWSCF貌似也可以；ELK里面貌似可以试验杂化泛函方法。
我没用过这两种方法，只是建议，未必对。
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cell
7楼2011-10-30 10:29:12
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bingmou

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-10-27 09:10:09
cell(金币+2): 谢谢提示 2011-10-27 15:07:05
第一性原理计算得到的禁带宽度本来就比实验值偏小
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2楼2011-10-27 08:35:38
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goldenfisher

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
cell(金币+5): 谢谢提示，最好有详细的介绍，有相关文献也可以 2011-10-27 15:07:36
youzhizhe(金币+1): 谢谢交流。 2011-10-27 23:40:23
cell(金币+3): 多谢提示 2011-10-28 21:35:29
方法挺多，加GW修正，或者用杂化密度泛函
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3楼2011-10-27 13:50:51
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goldenfisher

金虫 (著名写手)
google里面搜索GW + band gap,以及hybrid DFT + band gap.很多很多文献
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4楼2011-10-28 11:17:26
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