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半导体粉体的IV特性测试方法
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pailu
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[交流]
半导体粉体的IV特性测试方法
本人想测试半导体粉体的IV特性,对于如何如何制作与测试仪探针接触的金属电极存在很多问题。小弟不想用蒸镀结合掩模的方法制作电极,实验室条件做不了,有其它一些简单的方法可以做电极吗,看有的虫友说用银胶粘结再退火的方法测试,不知道这种方法是否够准确,在高水平文献中我没有见到过这种报道,请大家帮忙讨论解决这个问题。另外我的粉体是直接用压片机压片吗?厚度与直径有什么要求?
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2011-10-12 23:43:09
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nanotio2
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pailu(金币+1): 2011-10-14 22:50:31
可以通过焊锡或是在制备的电极上再紧压导电玻璃
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6楼
2011-10-13 23:06:25
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kebaoyuan
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):谢谢参与
pailu(金币+1): 2011-10-13 23:01:16
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2楼
2011-10-13 08:06:08
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leimiao_hit
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pailu(金币
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pailu(金币+1): 2011-10-13 23:01:22
制作与测试仪探针接触的金属电极
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3楼
2011-10-13 08:40:46
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nanotio2
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pailu(金币
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pailu(金币+1): 2011-10-13 23:01:55
在乙醇或水中分散,然后旋涂在FTO或ITO上面,烧结。不过容易有基体材料的电化学行为。
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4楼
2011-10-13 19:48:19
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