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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 能源 » 新能源 » 半导体粉体的IV特性测试方法
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pailu

金虫 (小有名气)

[交流] 半导体粉体的IV特性测试方法

本人想测试半导体粉体的IV特性，对于如何如何制作与测试仪探针接触的金属电极存在很多问题。小弟不想用蒸镀结合掩模的方法制作电极，实验室条件做不了，有其它一些简单的方法可以做电极吗，看有的虫友说用银胶粘结再退火的方法测试，不知道这种方法是否够准确，在高水平文献中我没有见到过这种报道，请大家帮忙讨论解决这个问题。另外我的粉体是直接用压片机压片吗？厚度与直径有什么要求？
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1楼 2011-10-12 23:43:09
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)
★
pailu(金币+1):谢谢参与
pailu(金币+1): 2011-10-13 23:01:16
本帖内容被屏蔽
2楼2011-10-13 08:06:08
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leimiao_hit

木虫之王 (文学泰斗)
★
pailu(金币+1):谢谢参与
pailu(金币+1): 2011-10-13 23:01:22
制作与测试仪探针接触的金属电极
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3楼2011-10-13 08:40:46
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nanotio2

金虫 (正式写手)
★
pailu(金币+1):谢谢参与
pailu(金币+1): 2011-10-13 23:01:55
在乙醇或水中分散，然后旋涂在FTO或ITO上面，烧结。不过容易有基体材料的电化学行为。
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4楼2011-10-13 19:48:19
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pailu

金虫 (小有名气)
请问旋涂后怎么做金属电极。我们所用的半导体测试仪探针台只有普通的光学显微镜，放大160倍。
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5楼2011-10-13 23:03:51
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nanotio2

金虫 (正式写手)
pailu(金币+1): 2011-10-14 22:50:31
可以通过焊锡或是在制备的电极上再紧压导电玻璃
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6楼2011-10-13 23:06:25
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