10楼: Originally posted by kjsun at 2011-09-23 11:54:14:
是这样的，
CeO2上的每一个氧空位会产生2个多余的电子，
这两个电子会分布在周围的Ce上，形成Ce3+ （原来是Ce4+）
两个电子落位的不同，就会形成不同的结构（仔细观察：Ce3+ -O 的键长比Ce4+-O略长0.15A左右） ...

10楼: Originally posted by kjsun at 2011-09-23 11:54:14:
是这样的，
CeO2上的每一个氧空位会产生2个多余的电子，
这两个电子会分布在周围的Ce上，形成Ce3+ （原来是Ce4+）
两个电子落位的不同，就会形成不同的结构（仔细观察：Ce3+ -O 的键长比Ce4+-O略长0.15A左右） ...

12楼: Originally posted by lgxyz at 2011-09-23 12:07:15:
哦是这样啊。多谢哈！那你认为这0.14eV的差别可以接受吗，如果我用第一种建模方法所得的结果。

13楼: Originally posted by kjsun at 2011-09-23 12:32:38:
0.14eV的差别 能不能接受，关键看你研究的对象是什么。
如果你是研究CeO2 的空位形成能，或者是表面能之类的，应该是可以接受的。
如果你是特意研究不同落位电子对体系的不同影响，当然是不能接受的。呵呵

14楼: Originally posted by lgxyz at 2011-09-23 12:35:49:
明白，真是多谢了！

15楼: Originally posted by 04nylxb at 2011-09-24 08:21:03:
请问，CeO2(111)是如何构建的？直接对CeO2晶胞进行优化，然后用MS直接切出111面吗？多谢

16楼: Originally posted by lgxyz at 2011-09-26 09:20:04:
对，就是这样

16楼: Originally posted by lgxyz at 2011-09-26 09:20:04
对，就是这样...