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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 氧空位CeO2(111)的优化
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lgxyz

铜虫 (正式写手)

[求助] 氧空位CeO2(111)的优化

各位，我最近在优化具有一个氧空位的CeO2（111）负载一个Au原子的结构（Au位于氧空位上），计算吸附能。发现有一个问题：第一次在优化clean的具有一个氧空位的CeO2（111）时是直接从优化过的CeO2体相结构切出（111）面，然后除去一个氧原子，能量为-182.853254eV；第二次是从优化好的Au/Ceo2(111)结构上除去Au原子，再优化，能量为-184.311185eV；二者结构上只是键长键角稍不一样，能量却相差比较大；按道理来讲，应该取能量更低的结构，但是一般我们都是按第一种办法来优化clean的表面。
具有两个氧空位的情况，这两种优化结果能量相差很小。
请教大家是怎样看待这个问题。非常感谢！
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1楼 2011-09-21 16:39:30
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kjsun

木虫 (正式写手)
★ ★
gzqdyouxia(金币+2): 谢谢指教 2011-09-23 19:20:17
引用回帖:
12楼: Originally posted by lgxyz at 2011-09-23 12:07:15:
哦是这样啊。多谢哈！那你认为这0.14eV的差别可以接受吗，如果我用第一种建模方法所得的结果。

0.14eV的差别 能不能接受，关键看你研究的对象是什么。
如果你是研究CeO2 的空位形成能，或者是表面能之类的，应该是可以接受的。
如果你是特意研究不同落位电子对体系的不同影响，当然是不能接受的。呵呵
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13楼2011-09-23 12:32:38
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主
★
gzqdyouxia(金币+1): 谢谢交流 2011-09-23 11:52:06
引用回帖:
1楼: Originally posted by lgxyz at 2011-09-21 16:39:30:
各位，我最近在优化具有一个氧空位的CeO2（111）负载一个Au原子的结构（Au位于氧空位上），计算吸附能。发现有一个问题：第一次在优化clean的具有一个氧空位的CeO2（111）时是直接从优化过的CeO2体相结构切出（11 ...

总能差别会有这么大？怪哉。第一种情况这算氧空位形成能多大？算算DOS和spin polarized charge density，证实这种差别的存在和合理性。

[ Last edited by cenwanglai on 2011-9-21 at 16:50 ]
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2楼2011-09-21 16:49:29
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lgxyz

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by cenwanglai at 2011-09-21 16:49:29:
总能差别会有这么大？怪哉。第一种情况这算氧空位形成能多大？算算DOS和spin polarized charge density，证实这种差别的存在和合理性。
[ Last edited by cenwanglai on 2011-9-21 at 16:50 ]

第一种氧空位的形成能有3.95eV，第二种有2.49eV
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3楼2011-09-21 16:53:10
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lgxyz

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by cenwanglai at 2011-09-21 16:49:29:
总能差别会有这么大？怪哉。第一种情况这算氧空位形成能多大？算算DOS和spin polarized charge density，证实这种差别的存在和合理性。
[ Last edited by cenwanglai on 2011-9-21 at 16:50 ]

还有一种情况是同一氧空位吸附不同的金属，优化后，除去金属原子，再来优化具有一个氧空位clean CeO2（111），得到的能量也不一样，相差大概0.13eV，不知道是不是由于我建的slab只有6层原子，厚度不够，导致能量浮动。
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4楼2011-09-21 17:02:04
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