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Nocturne

木虫 (正式写手)

[交流] 压强对band gap的影响

一般来讲如果增加压强至几个GPa
晶体的单胞参数会减少，体积也随之减少，但是对带隙如何影响呢？
比如最简单的KH2PO4（KDP）？
求高人解释，谢谢
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1楼 2011-08-30 20:45:24
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dxcharlary

专家顾问 (职业作家)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
Nocturne(金币+1): 谢谢建议，我试试 2011-08-31 14:39:33
zzy870720z(金币+2): 鼓励交流 2011-09-01 10:43:09
Nocturne(金币+1): 2011-09-03 18:33:21
这个分材料，而且不同类型的晶体很不一样，你自己算一下就行了。
貌似马琰铭老师的文章里说大多数情况加压，带隙会减小。因为加压原子会靠近。电子云的重叠面积加大，晶体有趋向于导体的趋势。但同时原子对电子的束缚也会被加强。
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5楼2011-08-31 12:39:00
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fansw1129

铁杆木虫 (著名写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-08-31 09:39:23
Nocturne(金币+1): 谢谢 2011-08-31 14:38:47
晶格常数的减少，必然导致，体系中原子间距离的变化，带隙一定会变化
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2楼2011-08-30 22:32:29
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Nocturne

木虫 (正式写手)
恩，键长会减少。没有特定的关系么？比如增大或减少
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3楼2011-08-31 01:53:18
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utdwang

银虫 (初入文坛)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
zzy870720z(金币+1): 谢谢建议 2011-08-31 09:39:36
Nocturne(金币+1): 谢谢建议 2011-08-31 14:38:59
加压带隙增加,简单试试IinAs就知道了.
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4楼2011-08-31 05:58:42
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