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压强对band gap的影响
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Nocturne
木虫
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虫号: 443696
[交流]
压强对band gap的影响
一般来讲如果增加压强至几个GPa
晶体的单胞参数会减少,体积也随之减少,但是对带隙如何影响呢?
比如最简单的KH2PO4(KDP)?
求高人解释,谢谢
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1楼
2011-08-30 20:45:24
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Nocturne
木虫
(正式写手)
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(小学生)
金币: 854
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虫号: 443696
恩,键长会减少。没有特定的关系么?比如增大或减少
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3楼
2011-08-31 01:53:18
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fansw1129
铁杆木虫
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zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-08-31 09:39:23
Nocturne(金币+1): 谢谢 2011-08-31 14:38:47
晶格常数的减少,必然导致,体系中原子间距离的变化,带隙一定会变化
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2楼
2011-08-30 22:32:29
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utdwang
银虫
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zzy870720z(金币+1): 谢谢建议 2011-08-31 09:39:36
Nocturne(金币+1): 谢谢建议 2011-08-31 14:38:59
加压带隙增加,简单试试IinAs就知道了.
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4楼
2011-08-31 05:58:42
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dxcharlary
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):给个红包,谢谢回帖
Nocturne(金币+1): 谢谢建议,我试试 2011-08-31 14:39:33
zzy870720z(金币+2): 鼓励交流 2011-09-01 10:43:09
Nocturne(金币+1): 2011-09-03 18:33:21
这个分材料,而且不同类型的晶体很不一样,你自己算一下就行了。
貌似马琰铭老师的文章里说大多数情况加压,带隙会减小。因为加压原子会靠近。电子云的重叠面积加大,晶体有趋向于导体的趋势。但同时原子对电子的束缚也会被加强。
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5楼
2011-08-31 12:39:00
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