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[求助]磁性薄膜饱和磁化的计算
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hxw05180119
铜虫
(小有名气)
应助: 0
(幼儿园)
金币: 11.4
红花: 1
帖子: 95
在线: 37.3小时
虫号: 1121849
注册: 2010-10-13
专业: 凝聚态物性 II :电子结构
[
求助
]
[求助]磁性薄膜饱和磁化的计算
使用振动样品磁强计测试了FeSiB合金薄膜的磁滞回线。却不知道这么计算饱和磁化
强度是否正确?
饱和磁化为M=4.5memu
磁场单位为G(是否可以直接变为Oe?)
样品体积为V=3.36*10-6cm3
Ms=M/V=4.52*10-3emu/ 3.36*10-6cm3
=1.345*103G=0.1345T
这样的结果和理论的相差一个数量级,哪里出错了,还是薄膜样品缺陷多,本身就小些?
详见图片
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1楼
2011-08-28 20:47:56
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wbcui
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专业: 金属功能材料
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5楼
:
Originally posted by
nostalgic
at 2011-09-01 22:15:53:
是上面计算的时候,单位换算出了问题,下面计算的这个是正确的
此楼的换算是正确的
楼主单位搞错了,磁场单位是Oe,不是Gs, Gs是磁化强度的单位,
只是,有些vsm是用电铁加磁场,也就是用电铁的表面磁通量作为磁场,因为磁通量以高位为单位,在高斯单位之中,高斯和奥斯特数值相等,也就当成了磁场的大小,也即是楼主所说了,可以直接当Oe了
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7楼
2011-12-13 00:18:08
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