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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » 求助]关于退火与热应力及位错
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basanwuyu

银虫 (小有名气)

[求助] 求助]关于退火与热应力及位错

向大家请教两个问题：
     1、晶体硅在生长完成后，退火时间越长，热应力释放会越多，那么这样的后果导致产生的位错会更多吗？为什么？
     2、另外，位错密度越大，能说明热应力就越大吗？
       请虫友们做个详细的解答，不甚感激！
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1楼 2011-08-04 15:01:19
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jy176308

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
basanwuyu(金币+12): 谢谢了，我已经进行过仔细的研究和思考了，搞得差不多了！ 2011-08-08 16:26:31
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:58:34
多晶硅铸锭就不太懂了 其实单晶硅我也没搞过 我现在是做蓝宝石单晶的 同事很多是做单晶或多晶硅的 具体的我帮你问问
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4楼2011-08-05 19:03:01
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jy176308

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
basanwuyu(金币+2): 谢谢，位错在生长阶段肯定会有的。我是问：生长完后，退火、释放应力及位错三者之间的联系或影响！ 2011-08-05 09:41:41
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:57:28
我觉得位错不是释放热应力产生的
不知LZ说的晶体硅是CZ法做的单晶硅么？
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2楼2011-08-04 22:35:32
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jy176308

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
basanwuyu(金币+6): 谢谢！我们主要是多晶硅铸锭，长晶完成后，会在1375度下退火一段时间！我想问这样的退火后，应力的释放与对应的此时新位错的产生情况？ 2011-08-05 10:44:55
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:57:47
以CZ法制备单晶硅为例，退火时缓慢释放热应力不会产生额外位错，最终单晶硅中位错密度的高低不能说明热应力的多少，籽晶质量，生长方向，缩颈工艺，等径生长控制，收尾工艺都会对位错密度产生影响
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3楼2011-08-05 10:33:05
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ssssss0527

捐助贵宾 (正式写手)
★
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:58:11
呵呵 既然楼主已经思考研究过了 就向大家介绍一下经验吧~~
小本科跪谢~~

我的理解是
1、退火时间长 则内应力释放多 那么应该位错越少啊~~ 而且楼主的退火温度那么高 应该在再结晶温度以上 那么重结晶以后也会减少位错~~
2、我觉得两者应该呈正相关，但是无法理论说明。

不妥之处， 还望多多指导~·
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5楼2011-11-21 00:41:03
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