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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » 求助]关于退火与热应力及位错
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basanwuyu

银虫 (小有名气)

[求助] 求助]关于退火与热应力及位错

向大家请教两个问题：
     1、晶体硅在生长完成后，退火时间越长，热应力释放会越多，那么这样的后果导致产生的位错会更多吗？为什么？
     2、另外，位错密度越大，能说明热应力就越大吗？
       请虫友们做个详细的解答，不甚感激！
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1楼2011-08-04 15:01:19
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jy176308

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
basanwuyu(金币+2): 谢谢，位错在生长阶段肯定会有的。我是问：生长完后，退火、释放应力及位错三者之间的联系或影响！ 2011-08-05 09:41:41
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:57:28
我觉得位错不是释放热应力产生的
不知LZ说的晶体硅是CZ法做的单晶硅么？
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2楼2011-08-04 22:35:32
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jy176308

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
basanwuyu(金币+6): 谢谢！我们主要是多晶硅铸锭，长晶完成后，会在1375度下退火一段时间！我想问这样的退火后，应力的释放与对应的此时新位错的产生情况？ 2011-08-05 10:44:55
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:57:47
以CZ法制备单晶硅为例，退火时缓慢释放热应力不会产生额外位错，最终单晶硅中位错密度的高低不能说明热应力的多少，籽晶质量，生长方向，缩颈工艺，等径生长控制，收尾工艺都会对位错密度产生影响
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3楼2011-08-05 10:33:05
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jy176308

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
basanwuyu(金币+12): 谢谢了，我已经进行过仔细的研究和思考了，搞得差不多了！ 2011-08-08 16:26:31
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:58:34
多晶硅铸锭就不太懂了 其实单晶硅我也没搞过 我现在是做蓝宝石单晶的 同事很多是做单晶或多晶硅的 具体的我帮你问问
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4楼2011-08-05 19:03:01
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ssssss0527

捐助贵宾 (正式写手)
★
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:58:11
呵呵 既然楼主已经思考研究过了 就向大家介绍一下经验吧~~
小本科跪谢~~

我的理解是
1、退火时间长 则内应力释放多 那么应该位错越少啊~~ 而且楼主的退火温度那么高 应该在再结晶温度以上 那么重结晶以后也会减少位错~~
2、我觉得两者应该呈正相关，但是无法理论说明。

不妥之处， 还望多多指导~·
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5楼2011-11-21 00:41:03
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ssssss0527

捐助贵宾 (正式写手)
★
drg1984(金币+1): 欢迎来晶体版发帖交流问题！ 2011-11-21 12:44:57
能不能这么解释 位错多 晶格畸变多 应力多~~
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6楼2011-11-21 03:51:38
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olympig

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
drg1984(金币+1): 那还有其他办法吗？ 2011-12-30 18:16:19
我做过单晶硅的应力试验，单晶硅Cz法尾部经常会出现应力片，如果单晶棱线断了，还出现大量位错。为了消除应力片（无断棱），我做过600、700、800、900度硅片退火，应力消除效果很不理想。而断棱高位错段，应力片数量明显增大几倍。所以，个人认为，位错跟应力关系很大。退火去应力的效果不一定理想。
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7楼2011-12-30 13:30:08
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xiaoguiyun

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

楼主指的应该是多晶铸锭的A阶段，去应力退火。温度在1370度，实现应力的消除，在冷却过程中可以减少位错的扩展，也就是减少位错。
第二点位错大不一定是因为应力的原因，你的形核初期就带来很多的位错或者杂质过多也会引入位错的。
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8楼2013-03-28 14:14:07
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