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basanwuyu

银虫 (小有名气)

[求助] 求助]关于退火与热应力及位错

向大家请教两个问题:
     1、晶体硅在生长完成后,退火时间越长,热应力释放会越多,那么这样的后果导致产生的位错会更多吗?为什么?
     2、另外,位错密度越大,能说明热应力就越大吗?
       请虫友们做个详细的解答,不甚感激!
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jy176308

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


basanwuyu(金币+2): 谢谢,位错在生长阶段肯定会有的。我是问:生长完后,退火、释放应力及位错三者之间的联系或影响! 2011-08-05 09:41:41
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:57:28
我觉得位错不是释放热应力产生的
不知LZ说的晶体硅是CZ法做的单晶硅么?
2楼2011-08-04 22:35:32
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jy176308

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


basanwuyu(金币+6): 谢谢!我们主要是多晶硅铸锭,长晶完成后,会在1375度下退火一段时间!我想问这样的退火后,应力的释放与对应的此时新位错的产生情况? 2011-08-05 10:44:55
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:57:47
以CZ法制备单晶硅为例,退火时缓慢释放热应力不会产生额外位错,最终单晶硅中位错密度的高低不能说明热应力的多少,籽晶质量,生长方向,缩颈工艺,等径生长控制,收尾工艺都会对位错密度产生影响
3楼2011-08-05 10:33:05
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jy176308

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


basanwuyu(金币+12): 谢谢了,我已经进行过仔细的研究和思考了,搞得差不多了! 2011-08-08 16:26:31
lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:58:34
多晶硅铸锭就不太懂了 其实单晶硅我也没搞过 我现在是做蓝宝石单晶的 同事很多是做单晶或多晶硅的 具体的我帮你问问
4楼2011-08-05 19:03:01
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ssssss0527

捐助贵宾 (正式写手)


lichun1210(金币+1): 感谢回帖交流~ 2011-11-21 07:58:11
呵呵 既然楼主已经思考研究过了 就向大家介绍一下经验吧~~
小本科跪谢~~

我的理解是
1、退火时间长 则内应力释放多 那么应该位错越少啊~~ 而且楼主的退火温度那么高 应该在再结晶温度以上 那么重结晶以后也会减少位错~~
2、我觉得两者应该呈正相关,但是无法理论说明。

不妥之处, 还望多多指导~·
5楼2011-11-21 00:41:03
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ssssss0527

捐助贵宾 (正式写手)


drg1984(金币+1): 欢迎来晶体版发帖交流问题! 2011-11-21 12:44:57
能不能这么解释 位错多 晶格畸变多 应力多~~
6楼2011-11-21 03:51:38
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olympig

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
drg1984(金币+1): 那还有其他办法吗? 2011-12-30 18:16:19
我做过单晶硅的应力试验,单晶硅Cz法尾部经常会出现应力片,如果单晶棱线断了,还出现大量位错。为了消除应力片(无断棱),我做过600、700、800、900度硅片退火,应力消除效果很不理想。而断棱高位错段,应力片数量明显增大几倍。所以,个人认为,位错跟应力关系很大。退火去应力的效果不一定理想。
7楼2011-12-30 13:30:08
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xiaoguiyun

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

楼主指的应该是多晶铸锭的A阶段,去应力退火。温度在1370度,实现应力的消除,在冷却过程中可以减少位错的扩展,也就是减少位错。
第二点位错大不一定是因为应力的原因,你的形核初期就带来很多的位错或者杂质过多也会引入位错的。
8楼2013-03-28 14:14:07
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