【答案】应助回帖

物质的本质是运动，运动的本质是能量

11楼2011-07-26 18:59:33

火柴天堂7909

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Originally posted by ljjhb1 at 2011-07-25 09:10:44:
利用castep的杂化泛函b3lyp计算了一种本征氧化物的能带,dos和光吸收系数，能带图得出带隙为2.04ev，而利用光吸收得出的光学带隙大致为3.95ev，两者相差的太多，求解释和原因，有价值的观点给予8个以上金币的奖励谢 ...

LZ所说的“利用光吸收得出的光学带隙大致为3.95ev”是实验测的还是根据数据结果算的啊？

物质的本质是运动，运动的本质是能量

12楼2011-07-26 19:01:51

ljjhb1

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引用回帖:

Originally posted by sarchiel at 2011-07-26 17:42:58:
LDA/GGA计算的带隙本来就不能作数
有系统性的低估

当然是以实验结果为准

呵呵，你们没看清我的问题，我问的是为什么castep能带计算的带隙和利用castep计算的光吸收谱计算的光学带隙不一致的问题，都是在castep里计算的，没有和实验值比较，是计算值与计算值之间的比较。不过还是谢谢你的参与

13楼2011-07-26 19:28:25

ljjhb1

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引用回帖:

Originally posted by 火柴天堂7909 at 2011-07-26 19:01:51:
LZ所说的“利用光吸收得出的光学带隙大致为3.95ev”是实验测的还是根据数据结果算的啊？

谢谢，我说的是计算值之间的比较，不涉及实验值

14楼2011-07-26 19:33:44

火柴天堂7909

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看来我也被误导了，LZ所说的计算出来的光学带隙是不是通过Tauc公式计算出来的，也就是吸收边？

物质的本质是运动，运动的本质是能量

15楼2011-07-27 09:28:01

gaojunfeng83

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【答案】应助回帖

ljjhb1(金币+8): 谢谢，觉得有一定道理，谢谢参与 2011-07-31 08:16:53

引用回帖:

Originally posted by 炮灰大神 at 2011-07-25 13:13:14:
我也是菜鸟，不懂。只是觉得如果是间接带隙，宽度2.04eV，那么在这个能量上光吸收应该很弱的，因为间接带隙光跃迁需要声子协助，这个都是高阶过程，几率很小。。也许在此能量之上3.95eV又有些啥别的结构导致了 ...

我觉得这个分析靠谱，直接带隙光吸收强度在低温情况远远大于间接带隙（间接带隙因为价带顶和导带底不在一个同一个倒空间K点，光激发需要声子辅助），所以光吸收边从顶点区域2次拟合后，做线性延伸对应的部分，是直接带隙，但是，在最高的吸收边之前低能量的部分，应该有个小起伏，它的延伸对应的应该是间接带隙。

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16楼2011-07-30 13:52:18

Toapollo

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【答案】应助回帖

★ ★
uuv2010(金币+2): 多谢提示 2011-08-01 16:22:29
ljjhb1(金币+1): 谢谢参与，你没有看清问题，我计算的是本征半导体，没有掺杂，呵呵 2011-08-01 20:59:18

个人意见认为这是典型的Burstein-Moss移动，即体系在掺杂的情况下，光子跃迁不仅要克服原有禁带，还必须克服费米能级高度（此时的费米能级应该已经进入了导带），导致跃迁远大于禁带宽度，产生蓝移现象。

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偷得一日闲便是福，枉作千年计岂非愚！

17楼2011-08-01 16:00:27

philosong

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【答案】应助回帖

ljjhb1(金币+5): 很感谢你的参与，谢谢你的建议 2011-08-05 16:02:23

禁带宽度跟光学吸收的带宽是有区别的。
有的半导体，在带隙附近的跃迁吸收是禁止的，也就是晶体对称性决定在带隙附近不能发生跃迁吸收，从而导致光学吸收带宽大于禁带宽度的情况，比如说氧化铟。
还有一种情况是，所计算的是理想半导体，而实验所测是掺杂的（有意或者无意掺杂）半导体。当掺杂导致简并发生时，有B-M效应导致吸收带宽蓝移。
LZ请根据实际情况分析。

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生活就是生活

18楼2011-08-05 13:46:47