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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 计算一种氧化物，光吸收系数计算的光吸收边远大于能带带隙，求解释
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ljjhb1

银虫 (正式写手)

[求助] 计算一种氧化物，光吸收系数计算的光吸收边远大于能带带隙，求解释

利用castep的杂化泛函b3lyp计算了一种本征氧化物的能带,dos和光吸收系数，能带图得出带隙为2.04ev，而利用光吸收得出的光学带隙大致为3.95ev，两者相差的太多，求解释和原因，有价值的观点给予8个以上金币的奖励谢谢

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1楼 2011-07-25 09:10:44
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philosong

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

ljjhb1(金币+5): 很感谢你的参与，谢谢你的建议 2011-08-05 16:02:23
禁带宽度跟光学吸收的带宽是有区别的。
有的半导体，在带隙附近的跃迁吸收是禁止的，也就是晶体对称性决定在带隙附近不能发生跃迁吸收，从而导致光学吸收带宽大于禁带宽度的情况，比如说氧化铟。
还有一种情况是，所计算的是理想半导体，而实验所测是掺杂的（有意或者无意掺杂）半导体。当掺杂导致简并发生时，有B-M效应导致吸收带宽蓝移。
LZ请根据实际情况分析。
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生活就是生活
18楼2011-08-05 13:46:47
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炮灰大神

木虫 (著名写手)
★
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-07-25 12:40:51
它是直接带隙还是间接带隙？
赞一下(1人) 回复此楼
我是一个虚伪的人。
2楼2011-07-25 10:29:12
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ljjhb1

银虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by 炮灰大神 at 2011-07-25 10:29:12:
它是直接带隙还是间接带隙？

谢谢关注，是间接带隙

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3楼2011-07-25 13:00:09
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炮灰大神

木虫 (著名写手)
★
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-07-25 16:01:20
引用回帖:
Originally posted by ljjhb1 at 2011-07-25 13:00:09:
谢谢关注，是间接带隙

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]

我也是菜鸟，不懂。只是觉得如果是间接带隙，宽度2.04eV，那么在这个能量上光吸收应该很弱的，因为间接带隙光跃迁需要声子协助，这个都是高阶过程，几率很小。。也许在此能量之上3.95eV又有些啥别的结构导致了光吸收。。。。
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我是一个虚伪的人。
4楼2011-07-25 13:13:14
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