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ljjhb1

银虫 (正式写手)

[求助] 计算一种氧化物，光吸收系数计算的光吸收边远大于能带带隙，求解释

利用castep的杂化泛函b3lyp计算了一种本征氧化物的能带,dos和光吸收系数，能带图得出带隙为2.04ev，而利用光吸收得出的光学带隙大致为3.95ev，两者相差的太多，求解释和原因，有价值的观点给予8个以上金币的奖励谢谢

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1楼 2011-07-25 09:10:44
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Toapollo

铁杆木虫 (正式写手)

西部牛仔

【答案】应助回帖

★ ★
uuv2010(金币+2): 多谢提示 2011-08-01 16:22:29
ljjhb1(金币+1): 谢谢参与，你没有看清问题，我计算的是本征半导体，没有掺杂，呵呵 2011-08-01 20:59:18
个人意见认为这是典型的Burstein-Moss移动，即体系在掺杂的情况下，光子跃迁不仅要克服原有禁带，还必须克服费米能级高度（此时的费米能级应该已经进入了导带），导致跃迁远大于禁带宽度，产生蓝移现象。
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偷得一日闲便是福，枉作千年计岂非愚！
17楼2011-08-01 16:00:27
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炮灰大神

木虫 (著名写手)
★
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-07-25 12:40:51
它是直接带隙还是间接带隙？
赞一下(1人) 回复此楼
我是一个虚伪的人。
2楼2011-07-25 10:29:12
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ljjhb1

银虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by 炮灰大神 at 2011-07-25 10:29:12:
它是直接带隙还是间接带隙？

谢谢关注，是间接带隙

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3楼2011-07-25 13:00:09
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炮灰大神

木虫 (著名写手)
★
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-07-25 16:01:20
引用回帖:
Originally posted by ljjhb1 at 2011-07-25 13:00:09:
谢谢关注，是间接带隙

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]

我也是菜鸟，不懂。只是觉得如果是间接带隙，宽度2.04eV，那么在这个能量上光吸收应该很弱的，因为间接带隙光跃迁需要声子协助，这个都是高阶过程，几率很小。。也许在此能量之上3.95eV又有些啥别的结构导致了光吸收。。。。
赞一下(2人) 回复此楼
我是一个虚伪的人。
4楼2011-07-25 13:13:14
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