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信任开花

铁杆木虫 (知名作家)

[求助] 求缺陷形成能时结构可要优化?

就是选定一个超胞A计算缺陷形成能时,超胞A的结构已经优化

当计算删除A中的一个原子时,超胞的总能量时,结构可要优化(离子位置可需要驰豫)以得到最低能量?谢谢
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从不温柔,从不体贴,从不讲理
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sunboyccc

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
1359505楼: Originally posted by limaojlu at 2011-08-19 16:34:22
因为稀少掺杂的前提假设是,单一缺陷不会对材料的体晶格参数影响。你锁住优化,表示的是外围的理想晶场对缺陷的有效围绕。如果开包优化,就变成了该比例下的合金了。

固定晶胞或固定体积优化各有用途,优化完晶胞,再固定晶胞掺杂,在一定条件下,你说的很有道理。
掺杂浓度很低情况下,对晶胞及原子坐标全优化,掺杂离子对晶胞影响很小,并且全优化体系能量最低。
空位缺陷情况下,部分优化和全优化能量差别巨大,对晶胞影响巨大
9楼2012-06-06 17:26:13
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youzhizhe

荣誉版主 (职业作家)

有志者

优秀版主优秀版主

【答案】应助回帖


ellsaking(金币+1): 感谢交流 2011-07-25 09:08:10
必须要进行结构优化
微博http://weibo.com/10986069
2楼2011-07-25 09:07:55
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mengnan0501

铜虫 (小有名气)


youzhizhe(金币+1): 谢谢交流。 2011-08-18 18:16:49
当去掉一个原子时,剩下的原子就会不再处于平衡位置,肯定要优化的
3楼2011-08-18 16:08:52
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limaojlu

金虫 (正式写手)


uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-08-18 23:45:49
做稀掺杂的话,像半导体中的稀掺杂,要锁胞之后优化原子。
4楼2011-08-18 20:32:35
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