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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 求缺陷形成能时结构可要优化？
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信任开花

铁杆木虫 (知名作家)

[求助] 求缺陷形成能时结构可要优化？

就是选定一个超胞A计算缺陷形成能时，超胞A的结构已经优化

当计算删除A中的一个原子时，超胞的总能量时，结构可要优化（离子位置可需要驰豫）以得到最低能量？谢谢
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1楼 2011-07-24 17:56:55
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sunboyccc

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
1359505楼: Originally posted by limaojlu at 2011-08-19 16:34:22
因为稀少掺杂的前提假设是，单一缺陷不会对材料的体晶格参数影响。你锁住优化，表示的是外围的理想晶场对缺陷的有效围绕。如果开包优化，就变成了该比例下的合金了。

固定晶胞或固定体积优化各有用途，优化完晶胞，再固定晶胞掺杂，在一定条件下，你说的很有道理。
掺杂浓度很低情况下，对晶胞及原子坐标全优化，掺杂离子对晶胞影响很小，并且全优化体系能量最低。
空位缺陷情况下，部分优化和全优化能量差别巨大，对晶胞影响巨大
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9楼2012-06-06 17:26:13
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youzhizhe

荣誉版主 (职业作家)

有志者

优秀版主优秀版主

【答案】应助回帖

★
ellsaking(金币+1): 感谢交流 2011-07-25 09:08:10
必须要进行结构优化
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微博http://weibo.com/10986069
2楼2011-07-25 09:07:55
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mengnan0501

铜虫 (小有名气)
★
youzhizhe(金币+1): 谢谢交流。 2011-08-18 18:16:49
当去掉一个原子时，剩下的原子就会不再处于平衡位置，肯定要优化的
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3楼2011-08-18 16:08:52
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limaojlu

金虫 (正式写手)
★
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-08-18 23:45:49
做稀掺杂的话，像半导体中的稀掺杂，要锁胞之后优化原子。
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4楼2011-08-18 20:32:35
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