| 查看: 968 | 回复: 1 | ||
[求助]
求教SnO2刻蚀的问题
|
|
看文献上说采用57%的HI在75度下可以以150nm/min的速度把SnO2薄膜（非ITO）给刻蚀掉，但是我200nm左右厚的薄膜放了1个小时都没办法成功。请教用什么方法可把SnO2薄膜给刻掉？ [ Last edited by 含树 on 2011-7-5 at 11:23 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
材料调剂
已经有7人回复
-
化学工程085602 305分求调剂
已经有10人回复
-
289求调剂
已经有15人回复
-
291 求调剂
已经有7人回复
-
274求调剂
已经有14人回复
-
北京林业大学硕导招生广告
已经有3人回复
-
309求调剂
已经有5人回复
-
292求调剂
已经有8人回复
-
求调剂
已经有4人回复
-
一志愿 西北大学 总分282 英语一62 求调剂
已经有3人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- XPS逐层刻蚀数据分析？
已经有7人回复
- DPN（Dip Pen Nanolithography）浸蘸笔纳米加工刻蚀技术
已经有61人回复
- 氢氟酸刻蚀二氧化硅的反应条件
已经有10人回复
- 请教：如何刻蚀FTO薄膜？（或如何测定FTO表层薄膜的厚度）
已经有16人回复
- 直流磁控溅射 溅射无法起弧 靶材刻蚀严重
已经有13人回复
- 求SnO2（金红石四方晶体结构）处理k点的syml程序
已经有4人回复
- AgNO3和HF刻蚀硅纳米线的溶液配置问题
已经有10人回复
- 【求助】SEM之前，刻蚀的作用是什么？
已经有3人回复
2楼2011-07-15 10:28:14
