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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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buct2010

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

贺仪(1ST强帖+1): 多谢你的热心帮助!很详细 2011-07-03 10:35:47
鹰羽龙(金币+30): 谢谢指教!!c along z, A in XZ和c along z, B in YZ有啥区别吗? 2011-07-03 11:46:53
引用回帖:
Originally posted by 鹰羽龙 at 2011-06-30 19:20:14:
初学MS,有两个问题想请教大家一下,关于晶体切面的。
(1)请问用MS切平面怎么切啊,我看文献说In2O3切(100)面6层原子,这个面一层一层的原子容易数清楚(见图),但是切(111)面6层原子得怎么看啊,看起来好 ...

你先在MS菜单栏的 build 》surface 》cleave surface 的框里选择要切的面(110)或(100)什么的。然后点击 下面的 cleave(见图)。
(1)层数是按照切面后原子的高度区分的,不同高度的原子是不同层。你一般只需调节cleave surface 的框里 top 、thickness 后面的那两个小箭头来确定厚度,thickness - top 的值为1时,说明是一个最小重复单元《也就是你(111)面的6层原子》你最好下载一篇文献,调节这两个小箭头改变slab 达到与文献一致的效果。(注意,有白框的那一层是顶层,真空层加在它上面)。
(调节好之后build 》crystal 》build vacauum slab 加载真空层,选择厚度就可以了)
(2)真空层默认的是C方向,与你切的表面是平行的,这个不需要调整。建完之后单击右键,选择 lattice parameters 》 advanced 》re-orient to standard(C along Z,B in YZ plan )做这一步的原因是切表面是从bulk 切来的,基矢是bulk 的基矢。但是切完表面后,基矢应该转换为表面的基矢。而真空层沿着C方向。

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3楼2011-07-03 10:27:46
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