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buct2010

金虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

贺仪(1ST强帖+1): 多谢你的热心帮助！很详细 2011-07-03 10:35:47
鹰羽龙(金币+30): 谢谢指教!!c along z, A in XZ和c along z, B in YZ有啥区别吗？ 2011-07-03 11:46:53

引用回帖:

Originally posted by 鹰羽龙 at 2011-06-30 19:20:14:
初学MS，有两个问题想请教大家一下，关于晶体切面的。
（1）请问用MS切平面怎么切啊，我看文献说In2O3切（100）面6层原子，这个面一层一层的原子容易数清楚（见图），但是切（111）面6层原子得怎么看啊，看起来好 ...

你先在MS菜单栏的 build 》surface 》cleave surface 的框里选择要切的面（110）或（100）什么的。然后点击下面的 cleave（见图）。
（1）层数是按照切面后原子的高度区分的，不同高度的原子是不同层。你一般只需调节cleave surface 的框里 top 、thickness 后面的那两个小箭头来确定厚度，thickness - top 的值为1时，说明是一个最小重复单元《也就是你（111）面的6层原子》你最好下载一篇文献，调节这两个小箭头改变slab 达到与文献一致的效果。（注意，有白框的那一层是顶层，真空层加在它上面）。
（调节好之后build 》crystal 》build vacauum slab 加载真空层，选择厚度就可以了）
（2）真空层默认的是C方向，与你切的表面是平行的，这个不需要调整。建完之后单击右键，选择 lattice parameters 》 advanced 》re-orient to standard（C along Z，B in YZ plan ）做这一步的原因是切表面是从bulk 切来的，基矢是bulk 的基矢。但是切完表面后，基矢应该转换为表面的基矢。而真空层沿着C方向。