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请问做CVD用的硅片如何处理，是直接滴量子点还是将硅片用氨基酸处理后滴加量子点？ 已有3人参与
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我在做化学气相沉积时，遇到了如何处理硅片的问题。 用于做沉积底物的硅片，在滴量子点之前需要用氨基酸处理吗？ 或者各位有什么高见，或者给予一般的处理方法。非常感谢 |
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2楼2011-05-23 10:54:44
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
wandaohzl(金币+1): 鼓励交流 2011-05-29 11:12:39
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wandaohzl(金币+1): 鼓励交流 2011-05-29 11:12:39
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以下是我们实验室清洗硅片的标准步骤，洗完之后在上面CVD生长硅线都是可以的，我想你的需要应该也能满足！ 1.丙酮超声 5-10min； 2.酒精超声 5-10min； 3.去离子水超声 5-10min； 4.水：氨水：双氧水=10:1:2的溶液中，70℃煮10min； 5.盐酸：双氧水：水=1:1:6的溶液中，70℃煮10min； （以上两步中硅片最好不要重叠） 6.氢氟酸：水=1:18的溶液中，浸泡30s； 7.用去离子水冲洗之后放置于酒精中（不能贮藏太久，还是会脏的），要用时用氮气吹干。 希望对你有所帮助  PS：氨水好难闻的说~~~  装氢氟酸溶液的时候要用塑料烧杯，并注意安全（强腐蚀性滴  ）[ Last edited by gl_zju on 2011-5-25 at 21:26 ] |
3楼2011-05-25 21:21:40
4楼2011-05-26 08:24:27
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wandaohzl(金币+1): 鼓励交流 2011-05-29 11:12:51
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wandaohzl(金币+1): 鼓励交流 2011-05-29 11:12:51
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（1）H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。 （2）H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 （3）氢氟酸溶液是用来去除硅片表面的氧化硅层的。 具体你可以去查看一下“半导体硅片RCA清洗技术”~ [ Last edited by gl_zju on 2011-6-1 at 08:46 ] |
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堂堂csu5楼2011-05-26 11:55:04
eagle0super
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6楼2011-05-29 09:54:23
7楼2011-06-09 19:37:34
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