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415131606铁杆木虫 (文坛精英)
黑风堂堂主-小乖猪
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[交流]
【交流】关于LED工艺中ITO工艺的探讨！ 已有7人参与
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在LED工艺中，由于电流横向扩展和透光性的原因，一般在LED-P电极中使用ITO（一般由于掺杂粒子浓度的原因，P层的空穴浓度比N层载流子的浓度低一到两个数量级）。 做了一张传统蓝光LED的工艺图。上面绿色之内的部分即为ITO，P电极一部分在ITO上面，一部分在GaN-p上面。想和小木虫里的虫友们讨论一下关于ITO薄膜的厚度对于电流横向扩展的作用以及希望大家给我推荐一些关于这个方面的文献和资料！ [ Last edited by 415131606 on 2011-4-14 at 22:07 ] |
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majieyuan
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先回答您一个我能确保正确的答案：ITO的厚度（无论何种成膜方式），在1100~1300A，2200~2400A及3300~3500A这三个区间会有T%的Peak位置，故蓝光LED界常会选用这三个厚度区间的ITO。 接下来，选择厚度，要考虑chip的注入电流（20mA，350mA还是700mA之类），毕竟ITO是透明导电薄膜，透明影响Chip亮度，导电影响其VF，故，有以下一个鱼和熊掌不可兼得的事情：想要高的亮度，就必须选用薄的ITO（道理很简单，怕ITO吸光），想要低的VF，就必须选用厚的ITO，因为ITO越厚，其表面电阻越小，导电性越偏向体电阻。 另外，楼主的示意图有点不对，P 电极通常被ITO包围起来的，，，，， |
15楼2012-05-16 17:28:05
applejuice7690
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2楼2011-04-15 21:44:46
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on 2011-4-16 at 00:02 ] 3楼2011-04-15 23:51:58
415131606
铁杆木虫 (文坛精英)
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4楼2011-04-16 09:38:06
